搜索结果: 1-15 共查到“仪器科学与技术 辐照”相关记录16条 . 查询时间(0.126 秒)
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照饱和 灰度值评估
2023/12/21
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照后暗电流
2023/12/13
中国科学院新疆理化技术研究所专利:一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
散裂中子源大气中子辐照谱仪研制成功
大气中子辐照谱仪 高通量中子束流
2022/4/22
2022年4月11日,记者从中科院高能物理研究所获悉,中国散裂中子源大气中子辐照谱仪近日成功出束,标志着该谱仪设备研制与安装成功。束流性能测试表明,已测工况的中子束尺寸与分布、中子能谱、通量等重要参数与预期相符。据了解,大气中子辐照谱仪是散裂中子源科学中心与工业和信息化部电子五所共同建设的国内唯一的大气中子地面模拟加速测试平台,由广东省科技厅支持建设,也是继多物理谱仪之后,中国散裂中子源完成建设的...
伽马射线辐照对硅光电二极管性能的影响
伽马射线辐照 硅光电二极管 暗电流 光谱响应度
2016/7/29
研究了伽马(γ)射线辐照对星上定标用硅光电二极管性能的影响。使用硅光电二极管分别接受20 krad(Si)、35 krad(Si)、50 krad(Si)总剂量的γ射线辐照,对比了器件在不同辐照剂量下暗电流及光谱响应度的变化。结果显示在35 krad(Si)以下剂量照射下,硅光电二极管暗电流及光谱响应度均未发现明显的变化,在50 krad(Si)剂量照射下,参试样品出现暗电流增加的现象,但该变化在...
基于离轴抛物面镜的准直光学系统因其无色差、材料易得、工作谱段宽、无中心遮挡等优点被广泛应用于传感系统校准、辐射测量、红外目标模拟器等系统中。为了分析设计的准直系统是否满足实际需求,对准直系统输出的辐照度特性进行了理论分析及仿真研究。基于辐照度传输模型给出了准直系统输出面辐照度分布表达式,并给出了准直光束发散角与抛物面焦距、光源口径及离轴角之间等的定量关系。采用光线追迹方法仿真分析了准直系统在不同光...
单一原子氧辐照对SR107-ZK白漆反射率的影响
SR107-ZK白漆 原子氧 反射率测量 电荷耦合器件 光学成像
2012/12/25
针对空间对接时某些载荷表面喷涂的涂层受原子氧剥蚀的影响发生反射率退化,从而改变涂层成像特性的问题,本文利用反射率退化一般规律数学模型计算出了在空间经常使用的SR107-ZK白漆两年衰减后的反射率理论值,并根据此理论值为光学系统选择了适当的CCD。按照地球低轨(LEO)飞行两年的太空环境条件,对SR107-ZK白漆试块进行了单一原子氧辐射试验。结果显示,1.8×1022 atom/cm2原子氧通量辐...
长春光机所太阳辐照绝对辐射计参加全国比对大会获好评
长春光机所 太阳辐照绝对辐射计 中国气象局
2011/12/1
近日,由长春光机所应光室研制的太阳辐照绝对辐射计(SIARs),应邀参加了第八次全国标准辐射仪器比对校准暨太阳辐射测量技术交流活动,得到了与会领导和专家的充分肯定和高度评价。
长期真空-紫外辐照模拟设备研制通过验收
真空-紫外辐照模拟设备 验收
2009/3/5
改善CMOS模拟图像传感器成像质量的γ射线辐照方法
γ射线 图像传感器 成像
2008/10/6
改善数字CMOS模拟图像传感器图像质量的γ射线辐照方法,辐照温度为室温,对上述传感器的γ射线辐照剂量为20~120Krad(Si);在γ射线辐照后进行退火,退火温度为室温至100℃,退火时间为40分钟至15天,退火时间随退火温度的升高而减小,气氛为空气。它对于不均匀性较大的CMOS模拟图像传感器成像质量的改善效果十分明显,可提高优级品率,也可把不均匀性大而不能出厂的CMOS模拟图像传感器变成合格...
多通道窄光谱带水下辐照度传感器
水下辐照度传感器 余弦集光器 光电传感器
2008/9/26
该实用新型是一种分立式多通道窄光谱带的水下辐照度传感器。每一通道由干涉滤光片+光电元件组成,光谱带宽不大于10mm。整个水下辐照度传感器由三个或三个以上的通道和一个余弦集光器组成。余弦集光器包括一片光学漫射片和一块耐压的双凸形透光窗玻璃。整个传感器设计紧凑,使传感器截面的直径小,有效地减少传感器的自阴影效应,提高了水下光谱辐照度测量精度达20%以上。