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《自然·通讯》报道南京工业大学王琳教授团队二维材料生长新进展
自然·通讯 王琳 二维材料
2024/4/16
近日，南京工业大学柔性电子（未来技术）学院王琳教授团队与北京师范大学朱重钦教授团队在《自然·通讯》（Nature Communications）上发表题为“Growth of millimeter-sized 2D metal iodide crystals induced by ion-specific preference at water-air interfaces”的研究论文。我校硕士毕...
中国科学院物理研究所在“非铁电性”单层二维材料中发现铁电性（图）
非铁电性 二维材料 晶体结构 光电子学
2023/6/28
铁电性是一种由电偶极矩自发排列导致的集体极化效应，并且其极化状态可被外部电场翻转。铁电场效应晶体管被认为是下一代非易失性存储器的理想候选者，具有无损读取和快速重复写入的优势，其非易失性功能通过铁电层的双稳态极化来实现。传统铁电材料多为三维钙钛矿结构的氧化物，如BaTiO3, PbTiO3和BiFeO3等，它们通常为带隙大且迁移率低的绝缘体，难以与现有的硅基半导体器件相兼容。近年来，二维范德瓦尔斯铁...
近期，物理学院戴瑛教授团队发现，二维材料可以实现自掺杂p-n结，该发现对于现代半导体器件的发展具有重要意义。相关研究成果以“Self-doped p-n Junctions in Two-Dimensional In2X3 van der Waals Materials”为题，发表在国际期刊Materials Horizons，7, 504，2020，DOI: 10.1039/C9MH01109A...
微电子所刘明院士团队提出了使用有机电荷转移分子 F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过 F4TCNQ 与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范...
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，通过实验证实了这类材料存在能谷极化现象，并具有从紫外拓展到可见光、近红外以及远红外波段的可调能隙功能，相关研究近日发表在《纳米通讯》上，。
中国科学院物理研究所二维材料构筑超短沟道晶体管研究获进展（图）
中国科学院物理研究所 二维材料 超短沟道 晶体管
2018/2/9
传统硅基半导体器件的小型化进程逐渐接近其物理极限，寻找新的材料、发展新的技术使器件尺寸进一步缩小仍是该领域的发展趋势。传统硅基场效应晶体管要求沟道厚度小于沟道长度的1/3，以有效避免短沟道效应。但受传统半导体材料限制，沟道厚度不能持续减小。近年来，利用二维半导体材料来构造短沟道晶体管器件已经成为一个前沿探索的热点课题。二维材料因其达到物理极限的厚度成为一种构造超短沟道晶体管的潜在材料，理论上可以有...
中国科学院半导体研究所等撰写二维材料低频剪切模和呼吸模拉曼散射的综述论文（图）
二维材料 拉曼光谱
2017/11/22
近十年来，二维材料的蓬勃发展可谓日新月异，其种类从半金属（比如石墨烯）到半导体（比如过渡金属二硫化物）到绝缘体（比如六角氮化硼）都有涵盖。相比块体的材料，二维材料表现出许多的独特的优异性质，比如说单层石墨烯中电子的迁移率要远大于其母体材料石墨；对于单层的二硫化钼(MoS2)来说，晶格中心反演对称性的破缺使得谷自旋效应得以实现，而层间耦合的消失使其从母体的间接带隙半导体变成单层的直接带隙半导体。同时...
中国科学技术大学在二维材料半导体量子晶体管研究中取得重要进展（图）
中国科学技术大学 二维材料 半导体 量子晶体管
2017/10/25
我校郭光灿院士领导的中科院量子信息重点实验室在半导体门控量子点的研究中取得重要进展。该实验室郭国平教授研究组与其合作者深入探索二维层状过渡金属硫族化合物应用于半导体量子芯片的可能性，实验上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件。该成果于10月20日在线发表在《科学·进展》（Science Advances）杂志上。经过几十年的发展，半导体门控量子点作为一种量子晶体管已经成为量子...
新方法用二维材料控制电子
二维材料控制电子 新加坡国立大学
2015/12/29
新加坡国立大学研究团队研发了一种控制电子的新方法，能把电子封闭在由原子厚度的材料制成的设备中。这项由该校理学院先进二维材料中心教授安东尼奥·卡斯托·尼托领导的研究成果发表在《自然》杂志上。几乎所有现代技术比如电机、灯泡和半导体芯片要通过设备控制电流，电子不仅小而且运动快，还相互排斥，人们很难直接控制电子的运动。若要控制电子的行为，很多半导体材料需要掺杂化学物质，掺杂物在材料中释放或吸收电子，改变电...