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微电子所刘明院士团队提出了使用有机电荷转移分子 F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过 F4TCNQ 与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范...
锥形与金字塔形场发射尖端电学特性分析
场发射 仿真 真空电子器件
2016/8/24
场致电子发射具有高效、响应快等优点，有着广泛的应用前景。锥形和金字塔形尖端是两种常见的场发射尖端结构。主要分析了这两种尖端结构的场发射电学特性，并在此基础上提出了进一步实现结构优化的途径。为此，建立了两种尖端的三维模型，并利用有限元法深入讨论了结构尺寸，包括尖端曲率半径、尖端与阳极间距以及尖端高度对电场分布以及电场强度的影响。结果表明，减小尖端曲率半径、缩短尖端与阳极间距、以及选择适当的锥体高度是...