搜索结果: 1-2 共查到“电子科学与技术 拉曼光谱”相关记录2条 . 查询时间(0.214 秒)
用拉曼光谱测量离子注入引起的晶格应变
离子注入 GaAs 超晶格 晶格应变
2009/8/21
对于10个周期的AlAs/GaAs超晶格和25个周期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格，在室温下进行0.28 MeV的Zn＋注入，注入剂量为5×1013~5×1014 cm-2。通过拉曼光谱测量，定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变。实验结果表明：在所选用的注入剂量下，由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0.038，说明该注入条件下，注入区的结晶态仍然保持得...