搜索结果: 31-45 共查到“物理学 薄膜”相关记录475条 . 查询时间(0.089 秒)
建立碳纳米管电学输运性能与其手性结构的依存关系，对于设计和构建高性能碳基器件具有重要意义。十多年前，科研人员尝试基于单根碳纳米管构建晶体管，探测其电学输运性能与结构的关系。由于单根碳纳米管电学信号弱、手性结构表征困难，揭示其性能与手性结构的关系颇具挑战性。多种类单一手性碳纳米管的宏量制备是解决这一科学问题的关键。鉴于此，中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心先进材料与结构分析实验室A05...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO面板驱动。以IGZO为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率（10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显示驱动无...
由于跟非晶硅面板制程兼容，非晶氧化物InGaZnO（IGZO）自从在实验室被发现后，很快进入了显示驱动工业应用，如AMLCD、AMOLED、LTPO 面板驱动。以IGZO 为代表的非晶氧化物薄膜晶体管（TFT）在较高的迁移率 （10 cm2/Vs 左右）、低温大面积制程（可至G8面板以上）、低的关态电流（约比低温多晶硅TFT低1000倍）等方面具有独特的优势。然而，伴随着显示技术的快速发展，现有显...
中国科学院黑磷及其合金单晶薄膜生长研究获进展（图）
黑磷 合金单晶薄膜 纳米技术
2023/5/7
2023年3月28日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯等在高质量黑磷薄膜的生长制备研究中取得重要进展，首次实现了在介质衬底上黑磷及其合金的高质量单晶薄膜制备。相关研究成果以Growth of single-crystal black phosphorus and its alloy films through sustained feedstock release为题，在线发表在《...
中国科学院声学研究所专利：压电薄膜厚度机电耦合系数的检测方法
众所周知，随着全球气候变暖，一些严重威胁公众健康和作物生长的强冷空气等极端气候频繁发生。例如，典型寒潮不仅会使人冻伤，而且会严重推迟作物的发芽和播种，可能给社会经济、资源和环境造成巨大损失。目前采用多种加热器件来提高温度造成了大量化石燃料及电力能源的消耗。因此，开发环保、低耗能、可再生的高效采暖技术有望成为重要的解决方案。
兰州化物所高熵光热薄膜助力人体热管理研究获新进展（图）
高熵光热薄膜 人体热管理 光谱
2023/5/18
保持舒适的新陈代谢温度对维持人体的基本生理功能至关重要。户外，静止的成人通过红外辐射消耗大约50%的热量，而传统的纺织材料（如棉和涤纶）具有高红外发射率(~90%)，导致大量辐射性热量损失。因此，对织物表面进行加工，实现人体热管理将会弥补这些缺陷。目前已报道的热管理织物吸收率并不理想，在寒冷的天气下不能有效加热人体，而现有的选择性吸收涂层技术在普通棉布表面由于高粗糙度会失去光谱选择性。因此，研究零...
MoTe2薄膜的晶体结构相变研究取得进展（图）
MoTe2薄膜 晶体结构 相变
2023/1/5
拓扑绝缘体的概念已被拓展为高阶拓扑绝缘体：即d维第n阶拓扑绝缘体具有受对称性保护的无能隙的(d–n)维边界态。高阶拓扑绝缘体可为探索奇异量子现象和量子态（如马约拉纳束缚态）提供新的机遇，因此，高阶拓扑绝缘体在凝聚态物理领域受到了大量关注。但是，目前很少量子材料被实验证实为高阶拓扑绝缘体。具有单斜（1T'）晶体结构的1T'-MoTe2被理论预言为三维二阶拓扑绝缘体的候选材料（Phys. Rev. L...
2022年12月19日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室在ZnSe薄膜非线性光学极化率的波长依赖性研究方面取得进展。相关成果以“Wavelength dependence of nonlinear optical susceptibility of ZnSe nanocrystalline film”为题发表在Optical Materials上。
上海光机所在激光薄膜的空间伽马射线辐射稳定性研究中取得新进展（图）
激光薄膜 马射线辐射
2023/1/6
2022年11月30日，中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室和意大利国家新技术、能源和可持续经济发展局合作，在激光薄膜的空间伽马射线辐射稳定性研究中取得新进展，为耐辐射空间光学元件的研制提供了数据支撑，相关研究成果以Laser-induced damage of 1064 nm multilayer antireflection coatings after exposure to ga...
中国科学院微电子所在聚合物半导体薄膜分子取向起源机制取得重要进展（图）
聚合物半导体 薄膜分子 光电性能
2023/8/21
第三代聚合物半导体因其本征柔性及可拉伸性、低温加工工艺、可调谐光电性能、兼容大面积制造等优点，近年来得到了学术界和工业界的广泛关注。其中，聚合物半导体的固态分子取向对其电荷输运特性至关重要。但是目前，业界对薄膜中分子取向的起源还知之甚少。
二维（2D）半导体材料为将摩尔定律扩展到原子尺度提供了机会。与传统基于蒸镀和光刻技术的加工技术相比，印刷电子因其成本效益、灵活性以及与不同衬底的兼容性而受到广泛关注。然而，目前印刷的二维晶体管，受到性能不理想、半导体层较厚和器件密度低的制约。同时，大多数二维材料油墨通常使用高沸点溶剂，随之而来的问题包括器件性能退化、高材料成本和毒害性等，难以大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大...
中国科大在过渡金属氧化物薄膜室温反常霍尔效应研究中取得重要进展（图）
金属氧化物 薄膜室温反常 霍尔效应
2022/10/14
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作，在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。该研究团队生长了高质量的铁磁半金属性锰氧化物外延薄膜（La2/3Sr1/3MnO3），并通过在薄膜中引入Ru元素掺杂诱导了可观的自旋阻挫效应和室温下3个数量级的反常霍尔电阻增强。相关成果日前以“Ru doping Induced S...