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基于铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻现象
真空薄膜 铁磁纳米点连接 各向异性磁电阻 弹道磁电阻
2013/8/30
比较了运用电子束光刻技术和真空薄膜沉积技术制备的宽度和厚度分别为20~250 nm 和10 nm 的系列铁磁金属薄膜纳米点连接在不同温度下的磁电阻现象和I-V 特性, 得出了铁磁金属薄膜纳米点连接的磁电阻和电阻与它的中间部位纳米局部区域的宽度之间没有必然关系, 说明铁磁金属薄膜纳米点连接的中间部位纳米局部区域的电阻与它两端的两个微米尺度的铁磁金属薄膜电极的电阻相比不起绝对决定作用, 也就是说, 我...
BiFeO3(BFO)作为室温单相多铁性材料，不但具有优越的铁电特性，同时由于电、磁、应变之间的耦合作用，可以实现用电场控制磁化，是研究新型多态磁电存储器的首选材料。最近有文献报道了在BFO单晶中又观察到了与铁电极化相关的可反转的二极管整流特性。这种受铁电极化调控的导电行为，不但增加了多铁性BFO材料的多功能特性，也更加丰富了BFO的物理内涵，除了铁电、铁磁和铁弹三个序参量之间的耦合，电输运特性与...
射频交替溅射法制备的NiZn铁氧体薄膜的结构与磁性
NiZn 铁氧体 薄膜 溅射 穆斯堡尔谱
2012/9/26
使用交替靶射频溅射的方法在不同基底上制备得到了成分为Ni xZn1- xFe2 O4 的铁氧体薄膜, 研究了NiZn铁氧体薄膜的生长条件, 探讨了不同工艺条件对薄膜性能的影响, 目的是提高薄膜饱和磁化强度Ms, 降低薄膜矫顽力Hc, 改善薄膜的软磁性能,以满足其在高频薄膜器件应用方面的需要. 实验表明: 沉积态薄膜即为尖晶石结构. 并且通过不同实验条件对NiZn铁氧体薄膜性能影响的研...
合金薄膜的临界磁场
2007/12/13
本文把文献[2]的理论推广到含有杂质的超导薄膜情形,得出合金薄膜的二极相变临界磁场。本文得到的结果,在2d》ξ0而l任意时,或者2d《ξ0而l<<2d时,趋于Гинэбург-Ландау理论;在2d<ξ02d时,与Гинэбург-Ландау理论不同(l是杂质所决定的电子平均自由程)。理论符合Blumbers实验。
GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究
2007/8/20
用磁控溅射法制备了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜，利用不同温度的克尔磁滞回线和VSM磁滞回线研究了读出层(GdFeCo)变温磁化方向变化过程.结果表明，随温度升高读出层从平面磁化转变为垂直磁化，交换耦合两层薄膜具有中心孔探测磁超分辨的基本性能.转变过程主要受饱和磁化强度（Ms）的影响，在GdFeCo的补偿温度附近，读出层的磁化强度较小，退磁场能也较小，在交换耦合的作用下，使读出层(Gd...
磁控反应溅射SiNx薄膜的研究
2007/8/20
用磁控反应溅射(RF)的方法制备了SiNx薄膜. 分析了以硅为靶材, 用N2/Ar做溅射气体条件下不同的气流比率、总气压以及沉积速率对薄膜光学常数和表面结构形态的影响, 得出较低总气压下气流比率对薄膜光学常数的影响是最关键的, 而总气压较大的时候, 水汽影响增大, 气流比率的影响反而不明显. 最后提出了合适的工艺条件来制备符合要求的SiNx薄膜.
金属薄膜在云母与富勒烯衬底上的电阻弛豫现象
2007/7/28
期刊信息
篇名
金属薄膜在云母与富勒烯衬底上的电阻弛豫现象
语种
中文
撰写或编译
作者
吴军桥，王志军等
第一作者单位
刊物名称
物理学报
页面
1997，46卷2期，387-392
出版日期
1997年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
新型金属多层膜中界面物理与伏安特性的研究
Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能
2007/7/28
期刊信息
篇名
Fe膜硫化合成FeS2薄膜的光电性能
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
孟亮,黄伟,刘艳辉。
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
太阳能学报
页面
2002, 23(3):308-312
出版日期
2002年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用
FeS2薄膜光电性能研究进展
2007/7/28
期刊信息
篇名
FeS2薄膜光电性能研究进展
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
黄伟,孟亮
第一作者单位
浙江大学
刊物名称
太阳能学报
页面
2001，22(4):494-499
出版日期
2001年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
Fe膜合成FeS2薄膜结晶过程中织构的诱导及其作用