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搜索结果: 1-10 共查到物理学 金属氧化物相关记录10条 . 查询时间(0.246 秒)
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法,该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成,通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求,再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
本发明涉及燃料电池催化剂载体,具体地说是一种高稳定型炭凝胶载体在燃料电池中的应用;所述催化剂的前躯体组分为间苯二酚,甲醛,有机配体,可溶性金属无机盐的混合物。间苯二酚与甲醛摩尔比为1:5~5:1,间苯二酚与金属有机化合物(以纯金属量计算)的摩尔比为5:1~1500:1,可溶性金属无机盐和有机配体的摩尔比20:1~1:20,可溶性金属无机盐可包括其中一种,或者两种或者两种以上的混合物。混合有机凝胶经...
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作,在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。该研究团队生长了高质量的铁磁半金属性锰氧化物外延薄膜(La2/3Sr1/3MnO3),并通过在薄膜中引入Ru元素掺杂诱导了可观的自旋阻挫效应和室温下3个数量级的反常霍尔电阻增强。相关成果日前以“Ru doping Induced S...
通过采用稀土元素镨掺杂铟锡锌氧化物半导体作为薄膜晶体管沟道层,成功实现了基于铝酸的湿法背沟道刻蚀薄膜晶体管的制备。研究了N2O等离子体处理对薄膜晶体管背沟道界面的影响,对其处理功率和时间对器件性能的影响做了具体研究。结果表明,在一定的功率和时间处理下能获得良好的器件性能,所制备的器件具有良好的正向偏压热稳定性和光照条件下负向偏压热稳定性。高分辨透射电镜结果显示,该非晶结构的金属氧化物半导体材料可以...
金属氧化物场效应晶体管作为大规模数字电路的基本单元,其内部的寄生效应一直以来被认为是影响集成电路在脉冲γ射线辐射环境中发生扰动、翻转以及闩锁的重要因素。为研究脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管内部纵向寄生效应的开启机制,通过TCAD构建了40,90以及180nm3种不同工艺节点的NMOS晶体管进行瞬时电离辐射效应仿真,得到了纵向寄生三极管电流增益随工艺节点的变化趋势、纵向寄生三极管的开启条件...
近日,西安光机所先进光电与生物材料研究室特种激光玻璃与光纤方向王鹏飞研究员团队在重金属氧化物中红外玻璃与光纤损耗超低控制机理与制备技术方面取得重要进展,相关研究成果“Development of low-loss lead-germanate glass for mid-infrared fiber optics: I. Glass preparation Optimization.” 和 “De...
近期,合肥研究院固体物理研究所液相激光加工与制备实验室构筑了具有丰富钯-氧化钯界面的异质结结构,且在金属-氧化物界面电催化固氮研究方面取得进展。相关结果发表在Journal of Materials Chemistry A 杂志上。
2017年6月13日至15日,由物理所表面物理国家重点实验室和光物理重点实验室共同主办的“过渡金属化合物异质界面的量子现象”国际研讨会(International Workshop on Quantum Phenomena Emerging at Heterointerfaces of Transition Metal Compounds)在物理所成功举办。来自国内外著名科研院所和大学的80余位专...
中文摘要: 采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16 kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对...
期刊信息 篇名 γ射线辐照制备金属金属氧化物纳米级超细粉 语种 中文 撰写或编译 作者 陈祖耀,朱英杰,钱逸泰 第一作者单位 刊物名称 化学通报 页面 1996,No.1 出版日期 1996年 月 日 文章标识(ISSN) 相关项目 纳米金属和合金的辐射制备,结构和性能研究

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