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中国科学院新疆理化技术研究所专利:互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
中国科大在过渡金属氧化物薄膜室温反常霍尔效应研究中取得重要进展(图)
金属氧化物 薄膜室温反常 霍尔效应
2022/10/14
中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心的王凌飞、吴文彬教授课题组与西北大学物理学院的司良教授合作,在钙钛矿结构过渡金属氧化物薄膜的磁输运性质研究中取得重要进展。该研究团队生长了高质量的铁磁半金属性锰氧化物外延薄膜(La2/3Sr1/3MnO3),并通过在薄膜中引入Ru元素掺杂诱导了可观的自旋阻挫效应和室温下3个数量级的反常霍尔电阻增强。相关成果日前以“Ru doping Induced S...
N2O处理对背沟刻蚀金属氧化物薄膜晶体管性能的影响
金属氧化物半导体 背沟道刻蚀 薄膜晶体管 N2O等离子体
2022/3/31
脉冲γ射线诱发N型金属氧化物场效应晶体管纵向寄生效应开启机制分析
瞬时电离辐射效应 寄生效应 阱电势抬升 二次光电流
2022/3/25
近日,西安光机所先进光电与生物材料研究室特种激光玻璃与光纤方向王鹏飞研究员团队在重金属氧化物中红外玻璃与光纤损耗超低控制机理与制备技术方面取得重要进展,相关研究成果“Development of low-loss lead-germanate glass for mid-infrared fiber optics: I. Glass preparation Optimization.” 和 “De...
近期,合肥研究院固体物理研究所液相激光加工与制备实验室构筑了具有丰富钯-氧化钯界面的异质结结构,且在金属-氧化物界面电催化固氮研究方面取得进展。相关结果发表在Journal of Materials Chemistry A 杂志上。
2017年6月13日至15日,由物理所表面物理国家重点实验室和光物理重点实验室共同主办的“过渡金属化合物异质界面的量子现象”国际研讨会(International Workshop on Quantum Phenomena Emerging at Heterointerfaces of Transition Metal Compounds)在物理所成功举办。来自国内外著名科研院所和大学的80余位专...
有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究
绝缘保护材料 性能 晶闸管 机理
2008/5/13
中文摘要:
采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16 kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对...
γ射线辐照制备金属及金属氧化物纳米级超细粉
2007/7/28
期刊信息
篇名
γ射线辐照制备金属及金属氧化物纳米级超细粉
语种
中文
撰写或编译
作者
陈祖耀,朱英杰,钱逸泰
第一作者单位
刊物名称
化学通报
页面
1996,No.1
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
纳米金属和合金的辐射制备,结构和性能研究