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中国科学院微电子研究所专利：集成纳米结构的薄膜型MOS气体传感器
MOS气敏传感器阵列优化与工作温度选择
传感器阵列 温度选择 阵列优化 特征选择
2014/5/14
通过对金属氧化物半导体(MOS)气敏传感器阵列进行阵列优化和工作温度的选择，达到提高阵列选择性、降低其功耗的目的。实验采用10个MOS传感器组成阵列，在不同加热电压下，对不同浓度的苯、甲苯、甲醇、乙醇进行测试；利用四种特征选择方法进行阵列优化，同时对优化后的特征子集做Fisher线性判别(DFA)分析。结果表明，优化的阵列在比通用加热电压(5.0V)低的加热电压(4.4V)下工作，对四种物质的正确...
多通道MOS型钾离子传感器及LFZ型测试仪
传感器 离子传感器 测试仪
2008/10/6
多通道MOS型钾离子传感器及LFZ型测试仪是采用先进半导体集成技术制作的离子传感器，以缬氨霉素为敏感材料。其响应范围广、灵敏度高，可用于环保、化工、地矿、医药和生物等多个领域。若改变离子选择性敏感膜还可制成其他离子传感器、气体传感器或生物传感器。
集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件
放大器 压力传感器
2008/9/18
发明了一种集成 M力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件，其特征在于它含有：凹形硅杯，做在N型（100）硅膜片上由完全对称但沟道相互垂直的一对运算放大器，构成以取代力敏运放电路输入端一对运算放大器的PMOS差分输入对管M1，M2，做在厚体硅上和上述M1，M2管相连的上述力敏运放电路的其余部分。它具有结构简单，压力响应灵敏度高，线性度好，只需一次调零，输入端调零方便，系统温漂和功耗低，元件数量少，...