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本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
本发明涉及一种多栅鳍式场效应晶体管电离总剂量效应的仿真方法，该方法利用TCAD仿真软件，依据器件实际的工艺和结构特性，建立三维仿真结构；通过调用基本物理模型，计算器件基本工作特性；将基本特性仿真结果与试验结果对比，修正仿真中的工艺参数和物理模型中的经验参数，使仿真结果最大程度与试验结果拟合；再增加电离总剂量辐射效应模型，并设置模型和材料参数，计算器件的总剂量辐射损伤特性；将器件辐射损伤特性仿真结果...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
日前，通过近两年的努力，国内第一个低温可充气真空辐射系统由中科院微电子所硅器件与集成技术研究室(一室)研制成功。
该低温测试系统由一室可靠性测试小组的刘刚、毕津顺、曾传滨等科研人员自行设计完成，其极限真空<10-7Pa，12小时静态漏气<0.1Pa，气体充气能力为1Pa—1MPa，液氮温度连续实验时间>5小时。
微电路FPGA的γ电离总剂量效应与加固技术
FPGA 电离总剂量 辐照效应
2009/2/7
讨论了Actel公司的FPGA芯片A1280XL在有偏置和无偏置条件下的γ电离总剂量效应，试验结果表明偏置条件对FPGA芯片电离总剂量效应有较大影响，在有偏置下FPGA芯片A1280XL失效阈最小，为12.16 Gy(Si)；无偏置时FPGA失效阈最大，为33.2 Gy(Si)。对芯片内部结构进行了辐射效应分析，并提出一些加固方法提高器件的抗总剂量能力，如电路设计中采用冗余技术来实现对故障的检测和...
AlteraSRAM型现场可编程门阵列总剂量辐射效应
SRAM型现场可编程门阵列 总剂量效应 辐射
2010/2/26
通过比较不同模块的输出波形、不同源程序的功耗电流以及输出端口的高、低电平随总剂量的变化关系，研究了Altera SRAM型现场可编程门阵列（FPGA）器件在60Co γ源辐照下的总剂量辐射效应。实验结果表明：器件的功能和功耗电流随总剂量的变化不同；不同模块随总剂量的变化关系相似，不同源程序的功耗电流随总剂量的变化趋势一致；总剂量辐照实验时功耗电流可作为判断器件失效的1个敏感参数。