搜索结果: 46-60 共查到“电子科学与技术 微电子”相关记录1435条 . 查询时间(0.59 秒)
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
2023/8/21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所 专利 非对称 后退阱 背栅 SOI器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：具有非对称后退阱和背栅的SOI器件
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所 专利 FinFet器件 源漏外延
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种FinFet器件源漏外延设备
中国科学院微电子研究所专利：晶体管、包括该晶体管的半导体器件及其制造方法
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 存储功能 MOS器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：带有存储功能的MOS器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所 专利 隔离区 半导体器件
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：一种隔离区、半导体器件及其形成方法
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
中国科学院微电子研究所 专利 结终端延伸 终端版图结构 终端结构
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：结终端延伸的终端版图结构及其终端结构
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所 专利 逆导 IGBT器件结构
2023/7/11
中国科学院微电子研究所专利：逆导IGBT器件结构及制造方法
中国科学院微电子研究所专利：采用金属硅化物的功率半导体器件结构及制备方法