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本发明涉及一种硫化镉/氧化锌核壳纳米线二氧化氮传感材料及制备方法，该传感材料中核为CdS，壳为ZnO，CdS与ZnO的晶型均为六方纤锌矿，通过水热方法复合而成，使用CdS/ZnO核壳纳米线作为NO2传感材料，在传感材料上照射一定强度的光，通过测量NO2吸附至传感材料表面时传感材料光电阻的变化达到对NO2传感的目的；测量信号为传感材料电阻变化或由此引起的电路中电压、电流变化；该传感材料具有工作温度低...
本发明涉及一种基于In2O3纳米线的气体传感器气敏膜的制备方法。是以两步化学转化法合成多孔半导体In2O3纳米材料，经过初步分离纯化后得到纯度较高的In2O3纳米线，并以此作为气敏性材料，组装成半导体气体传感器。该气体传感器的工作原理是根据半导体In2O3纳米线材料暴露在空气和待测气体中电信号（电阻、电压、电流等）的变化来进行检测和分析的。气体传感器能够对乙醇、丙酮、甲醛等常见的有机挥发性气体(V...
中国科学院国家纳米科学中心专利：基于ZnO纳米线的自供电振动传感器及其制造方法
中国科学院理化技术研究所专利：一种基于氧化锌纳米线的温度传感器
中国科学院理化技术研究所专利：基于表面增强拉曼散射效应的硅纳米线传感器及其应用
中国科学院合肥物质科学岛团队在银纳米线薄膜力学失稳机制方面取得新进展（图）
银纳米线薄膜 力学 传感器 太阳电池
2023/7/24
2022年6月17日，中科院合肥研究院固体所纳米材料与器件技术研究部季书林研究员团队对柔性电子重要材料的银纳米线薄膜在极端力学条件下的失稳机制开展研究，并取得新进展。相关成果发表在Nanotechnology上。银纳米线透明导电薄膜因其优异的导电性、光学高清和良好的柔韧性，在柔性电子领域展现突出的应用优势，广泛应用于触控屏、传感器、太阳电池以及薄膜加热器等领域，但实际应用中银纳米线薄膜的机械不稳定...
中国科学院上海微系统与信息技术研究所用研制的原位TEM构效关联MEMS表征芯片技术揭示了氧化锌纳米线的纳米尺度效应（图）
原位TEM构效 MEMS 表征芯片技术 氧化锌纳米线 纳米尺度效应
2021/3/19
近日，中科院上海微系统所传感技术国家重点实验室李昕欣课题组首次采用原位电镜（TEM）观测技术并结合热力学参数测量验证，从原子级层面揭示了氧化锌纳米线纳米尺度的构效关系机理。相关成果以“Quantitative Structure–Activity Relationship of Nanowire Adsorption to SO2 Revealed by In Situ TEM Technique...
大连理工大学黄辉教授课题组发明了无漏电流“纳米线桥接生长技术”，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题，研制出高可靠性（8个月电阻变化率<0.8%）、低功耗（可室温工作）及高灵敏度（NO2检测限0.5ppb）的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等，实验结果发表在国际纳米领域顶级期刊“Nano Letters” 。
以InCl3•4H2O、草酸和氢氧化钠为原料，采用水热-退火路径，合成出了In2O3纳米线。X射线粉末衍射（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）表征结果表明：合成产物为立方相的In2O3纳米线，其直径约为30-50 nm，长径比超过40。气敏性能测试结果表明，以该法合成的In2O3纳米线对NO2灵敏度高，选择性好，响应恢复快，可以检测1 ppm的NO2，是一种应用前景良好的NO2敏感材料...
硅材料的重要性和硅纳米技术的不断发展极大地激发了基于硅纳米结构新型器件的研究。近期，在中科院、科技部和国家自然科学基金委的支持下，中科院理化技术研究所师文生研究员带领的研究组在基于硅纳米线新型器件研究方面取得进展。