搜索结果: 31-45 共查到“知识要闻 电子技术”相关记录2641条 . 查询时间(2.078 秒)
苏州医工所戴亚康团队在脑电正问题建模研究中取得进展(图)
戴亚康 神经 仿真
2024/5/16
脑电正问题建模通过构建颅内神经放电源和脑电头皮测量信号之间的电传导关系,为脑电源成像提供模型基础,对于无创在体地探索颅内真实的脑神经活动规律和研究脑认知功能具有重要科学意义和临床应用价值。其中,电极模型作为连接测量信号和头体积传导模型的枢纽,是脑电正问题建模的关键一步。然而,现有最先进的电极面建模方法未能考虑真实电极中面接触电导分布不均匀的问题,导致建模过程中边界条件的不准确表达,影响脑电正问题建...
中国科大五项芯片设计成果亮相ISSCC 2024(图)
芯片设计 微电子学 集成电路
2024/6/14
2024年2月29日,中国科大国家示范性微电子学院程林教授课题组设计的五款电源管理芯片亮相于集成电路设计领域知名会议 IEEE International Solid-State Circuits Conference(ISSCC)。ISSCC是世界学术界和工业界公认的集成电路设计领域最高级别会议,被认为是集成电路设计领域的“芯片奥林匹克大会”。ISSCC 2024于今年2月18日至22日在美国旧...
中国科学技术大学在高频声表面波器件领域取得重要突破(图)
高频声 表面波器件 叉指换能器
2024/3/4
中国科学院西安光机所在透明吸波材料方面取得重要进展(图)
材料 辐射防护 光子 器件
2024/6/25
2024年2月23日,中国科学院西安光机所光子功能材料与器件研究室高通量辐射防护材料与技术研究团队在透明吸波材料方面取得重要进展,相关研究成果在线发表于工程技术领域顶级期刊Chemical Engineering Journal(影响因子15.1)。论文共同第一作者为2021级博士研究生郭晨与特别研究助理陈超博士,通讯作者为王鹏飞研究员。
南京大学闫世成教授课题组揭示直接电子转移电催化反应产物选择性机制(图)
电子转移 电催化 产物选择性
2024/4/8
2024年2月6日,中国科学院合肥物质院智能所祝辉、余彪团队在地面无人车辆复杂地形机动性预测研究方面取得进展,三篇相关研究成果相继发表在机器人与智能车辆领域顶刊IEEE Robotics and Automation Letters (IEEE RA-L)和IEEE Transactions on Vehicular Technology (IEEE TVT)上,并且被机器人顶...
中国科大合作开发最轻的头戴式荧光显微镜(0.43g)(图)
光学 电子学 机械
2024/6/14
2024年1月29日,中国科学技术大学、中国科学院深圳先进技术研究院脑疾病与脑认知研究所毕国强教授课题组和深圳理工大学(筹)周鹏程课题组合作在National Science Review杂志在线发表名为“Multi-region calcium imaging in freely behaving mice with ultra-compact head-mounted fluorescence...
塔河炼化投用红外热成像仪提高巡检效率(图)
塔河炼化 红外热成像仪 中国石化
2024/2/2
面对冬季低温挑战,塔河炼化炼油一部硫黄回收装置投用红外热成像仪,提高巡检效率。该装置伴热集合站有40多个,以前使用测温枪,巡检一遍需要50多分钟,采用红外热成像仪后,测温方式升级为“目测式一伴热集合站一检测”,节约一半时间。
中国科学院合肥物质科学研究院科学岛团队在共振隧穿及超高精度测量研究方面取得重要进展(图)
测量 能源材料 器件
2024/5/17
2024年2月1日,中国科学院合肥物质院固体所能源材料与器件制造研究部杨勇研究员在微观粒子的双势垒共振隧穿及基于此开展超高精度测量研究方面取得重要进展。相关研究成果发表在美国物理学会期刊 Physical Review Research 上。
中国科学院上海光机所正负高色散镜对研究取得进展(图)
高色散镜 元件 激光
2024/1/19
2024年1月17日,中国科学院上海光学精密机械研究所研究人员在正负1000fs2高色散镜对研究方面取得进展。相关研究成果以Design, production, and characterization of a pair of positive and negative high dispersive mirrors for chirped pulse amplification system...
中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展(图)
三维神经 形态计算 微电子
2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列,其中不同层器件分别具有非易失性和易失性,这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件(字线:TiN)和第2层器件(字线:Ru)分别表现出不同的动态特性,可以用于构建多时间尺度储备池计算网络;第3层器(WL:W)表现出了多比特存储的非易失特性,可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展(图)
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩,1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成的2T0C单元尺寸(大约20F2)比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸(6F2)大很多,...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展(图)
芯片 集成 微电子
2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战:一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流;二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加,因此需要高密度的存储器;三是存储器和随机源的分离,导致了芯片面积和功耗的浪费。