搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 微电子”相关记录867条 . 查询时间(0.182 秒)
成都工业学院电子工程学院微电子科学与工程专业介绍
微电子 成都 工业学院
2024/4/8
成都工业学院电子工程学院微电子科学与工程专业前身是2003年在国内首批设立的微电子技术专业,2012年获批四川省首批卓越工程师教育培养计划专业,2017年入选四川省首批地方普通本科院校应用型示范专业,2019年入选国家“双万计划”省级一流专业,2020年入选国家“双万计划”国家级一流本科专业。与英特尔产品(成都)有限公司、杭州士兰集成电路有限公司等知名企业开展校企合作,培养以集成电路制造工艺技术和...
杭州电子科技大学微电子研究院科研成果获奖(2013年-2022年)
杭州电科大 微电子研院 科研成果 获奖
2024/2/4
杭州电子科技大学微电子研究院科研成果专利(2020年-2023年)
杭州电科大 微电子研院 科研成果 专利
2024/2/4
中国科学院微电子所在多模态三维神经形态计算领域取得重要进展(图)
三维神经 形态计算 微电子
2024/2/28
微电子所重点实验室刘明院士团队设计了一种新的3D垂直RRAM阵列,其中不同层器件分别具有非易失性和易失性,这使得它能够构建多模态神经形态计算网络。第1层器件(字线:TiN)和第2层器件(字线:Ru)分别表现出不同的动态特性,可以用于构建多时间尺度储备池计算网络;第3层器(WL:W)表现出了多比特存储的非易失特性,可用于构建卷积神经网络和全连接网络等。第1层和第2层器件构建的多时间尺度储备池计算网络...
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展(图)
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩,1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著,导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧(IGZO)晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战,在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件,形成的2T0C单元尺寸(大约20F2)比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸(6F2)大很多,...
中国科学院微电子所在三维铁电存储器噪声特性应用方面取得进展(图)
芯片 集成 微电子
2024/2/29
传统贝叶斯机面临三大挑战:一是需要高质量的随机源生成具有真随机性的随机比特数流;二是由于随机变量随着问题的规模和复杂度的增加而增加,因此需要高密度的存储器;三是存储器和随机源的分离,导致了芯片面积和功耗的浪费。
中国科学院金属研究所专利:微电子封装中焊料凸点连接金属化层及应用
中国科学院金属研究所 专利 微电子封装 焊料凸点连接 金属化层
2023/12/18
南方科技大学深港微电子学院方小虎课题组在IEEE GZ/HK AP/MTT Postgraduate Conference荣获最佳论文奖(图)
深港微电子 方小虎 IEEE AP MTT 最佳论文奖 微波
2023/11/29
西北工业大学第十一届翱翔青年学者论坛微电子学院分论坛成功举办(图)
西北工大 翱翔 微电子学院
2024/4/3
中国科学院微电子所在低能耗垂直神经晶体管方面取得进展(图)
神经 晶体管 器件
2024/2/29
人工智能时代计算机日常需要处理的信息量急剧增加,如何在计算和存储等资源受限的边缘端快速、实时的处理信息已成为当前业界的共性需求。生物体的神经网络系统被认为是自然界中集感应、存储和计算一体化的系统,具有非常高效的信息处理能力,且工作能耗很低。受生物启发,开发神经形态器件及其阵列集成技术,构建类似生物神经网络功能的神经形态计算系统,是实现实时、高能效边缘计算系统的重要途径之一。