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合肥工业大学微电子学院本科生在微波领域顶刊上发表最新研究成果(图)
微波天线 几何相位 反射阵天线
2024/8/1
近二十年来,聚合物半导体在有机光电器件中的应用方面取得了显著进展。但是,将聚合物半导体的可溶液加工、柔性这些独特性质应用在集成电路里仍面临困难,比如材料溶解度、结晶性、迁移率和图案化等多种功能对聚合物半导体聚集态形貌的需求不一致,使得通过分子设计实现多种功能的融合极具挑战性。
中科院上海分院宁波材料所在用于生物传感的离子导电水凝胶材料研究方面取得进展(图)
生物传感 离子导电
2024/7/19
生物电子学在人体运动监测、个人健康监护和医疗诊断领域具有广泛应用,但是,由于柔软湿润的生物组织与刚性电子器件之间的差异,开发更兼容、更有效和更稳定的生物电子接口一直是生物传感领域的难题之一。离子导电水凝胶因其柔软湿润的三维结构、与组织相似的机械特性、与人体一致的导电机制和优异的刺激响应性在生物电子学领域扮演了重要角色。然而,开发出集优异的机械性能、导电性、保水性、自粘性和抗菌性等于一体的水凝胶材料...
中国科学院微电子所在高性能锁相环芯片方面取得新进展(图)
高性能 集成电路
2024/8/11
2024年7月15日,2024 IEEE Symposium on VLSI Technology & Circuits在美国召开,微电子所抗辐照器件技术重点实验室李博研究员、杨尊松研究员团队在会上展示了高性能锁相环芯片的最新研究进展。
中科院上海分院福建物构所聚合物受体材料与光伏器件研究取得新进展(图)
聚合物 光伏器件 太阳能电池
2024/7/19
与基于小分子受体的聚合物太阳能电池相比,采用聚合物受体制备的全聚合物太阳能电池具有更优异的光/热稳定性和机械柔韧性,在柔性可穿戴电子器件领域更具应用潜力。开发高性能聚合物受体材料是实现高效全聚合物太阳能电池的关键。目前高性能(PCE>15%)聚合物受体所采用的小分子受体单元仅局限于ADA′DA-型的Y6衍生物,开发基于ADA-型小分子受体单元的高性能聚合物受体材料仍面临挑战。
中国科学院半导体所在可调谐MEMS-VCSEL研究方面取得进展(图)
智能 激光 集成
2024/8/11
波长连续调谐(扫频)垂直腔面发射激光器(VCSEL)在光学相干层析成像(OCT)、调频连续波(FMCW)激光雷达、智能制造等领域有重要应用。在这些应用中,对可调谐VCSEL进行功率监测至关重要。此外,VCSEL具有单纵模、低功耗、易于二维阵列集成等优点,是垂直集成光子系统的理想光源。在未来用于人工智能和传感等领域的三维垂直集成光子系统中,具有宽带波长调谐和集成功率监测功能的VCSEL是关键器件。
中国科学院上海高等研究院重费米子超导电子结构研究取得重要进展(图)
超导 电子结构 耦合
2024/7/20
目前已知的大部分超导体的晶体结构存在对称中心,满足空间反演对称性,其超导电子配对波函数只能是偶宇称的自旋单态或奇宇称的自旋三重态中的一种。少部分超导体缺乏反演对称中心,其非对称晶体势场产生反对称的自旋轨道耦合,使自旋简并的能级发生劈裂,从而形成自旋单态与三重态的混合。2012年,理论物理学家提出了一种结合上述两种超导特征、从而实现超导配对波函数宇称转变的模型[1],即对于一个整体保持空间反演对称的...
中国科学院半导体所在大尺寸金刚石单晶异质外延生长方面取得进展(图)
电子器件 空间 高温
2024/8/11
作为一种超宽带隙半导体材料,金刚石具有禁带宽度大、载流子迁移率高,载流子饱和漂移速度大、临界击穿场强大、热导率高等优点,非常适合用于制备高频、大功率、耐高温、抗辐照的电子学器件以及深紫外波段的光电子器件,在新能源、6G通信、空间科学等领域具有广泛的应用前景。在半导体金刚石材料与器件研究中,大尺寸金刚石单晶衬底和外延薄膜的制备是一个重要的研究方向,但由于衬底与外延层之间极大的应力,其面临巨大的技术挑...
中国科学院微电子所在高吞吐率SRAM存内计算处理器芯片领域取得进展(图)
计算 电路 电子
2024/8/11
目前,ChatGPT等大型AI算法的出现对计算设备性能提出了更高要求。存内计算(CIM)有效缓解了传统冯诺依曼架构中的内存墙问题。尽管无法完全解决存储墙问题,但CIM架构通过定制化设计方法将存储单元和计算电路结合在一起,本质上提高了操作数的传输带宽,大大降低了这部分数据的传输代价。近年来,许多具有高计算能效的数字CIM架构处理器的工作被提出。这些工作通过定制化设计数据路径控制微架构和稀疏优化微架构...
中国科学院微电子所在存内计算处理器上取得进展(图)
计算 系统应用 电子'集成电路
2024/8/11
存内计算(CIM)芯片相比传统冯诺依曼架构芯片在宏单元层级实现了高能效,但系统层级的复杂周边电路使得系统能效仍然受限,系统/宏单元能效比通常低40%,使其在面向神经网络和推荐系统应用领域仍然存在一些挑战。此外,对存储主导(例如推荐系统的嵌入层)的操作,需要大量的片外访问,由于嵌入表不能被完全存储到片上,即使采用内容可寻址存储器(CAM),仍会导致大量的片外访问和较高的片上CAM搜索功耗。
2024年7月5日,中国科学院微电子所高频高压中心GaN功率电子器件研发团队的2篇论文入选第36届功率半导体器件和集成电路国际会议(ISPSD),其中戴心玥博士的口头报告“An Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMT withIsland-Ohmic p-GaN featuring stable thresholdvoltage and large gate swing”荣...