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2023年8月24日，国家自然科学基金委员会公布了本年度集中申报期项目的评审结果。华南理工大学微电子学院易翔教授获得重点项目立项资助，陈荣盛教授、徐金旭副教授获得面上项目立项资助，秦培副教授、周陶杰副教授获得青年科学基金立项资助。本次青年基金项目获资助率达33%，面上项目获资助率达50%，所有项目获资助率超40%，共获得立项经费378万元。我院国自然基金申报立项数和立项经费均创历史新高！
中国科学院半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展（图）
手性分子 电子学器件 非磁性金属
2024/2/28
利用手性与自旋极化的相互转换产生自旋流是近年来自旋电子学领域的研究热点，相关现象被称之为“手性诱导自旋选择性”（Chirality-Induced Spin Selectivity, CISS）。CISS在自旋电子学器件中具有潜在的应用价值和丰富的物理内涵，但是手性与自旋极化相互转换的微观机理一直是激烈争论的科学问题。
中国科学院大连化学物理研究所实现半导体光催化硼化反应（图）
半导体 光催化 硼化反应
2023/8/24
近日，中国科学院大连化学物理研究所精细化工研究室有机硼化学与绿色氧化创新特区研究组研究员戴文团队，在多相光催化硼化方面取得新进展。该团队选用易于制备的硫化镉纳米片作为多相光催化剂，利用光生电子—空穴的协同氧化还原作用，通过选择性硼化反应，实现了烯烃、炔烃、亚胺以及芳（杂）环的高值转化，合成了硼氢化和硼取代产物。
2023年8月20日~22日，第七届全国大学生集成电路创新创业大赛全国总决赛在重庆举行，来自125所高校的469支队伍同台竞技。本届大赛于2023年1月启动，设有21个企业杯赛方向，共分为8大赛道，覆盖集成电路全产业链，报名队伍超过5000支，参赛师生逾15000人，参与高校超过380家。经过西南、华北、东北、华中、华东、华南、西北七大分赛区选拔，有来自125所高校的469支队伍晋级全国总决赛。在...
山西煤化所主持制定的超级电容器多孔炭首个国际标准正式发布（图）
电容器 纳米电工 器件性能
2023/11/27
2023年6月，由中国科学院山西煤炭化学研究所（简称“山西煤化所”）主持，宁波中车新能源科技有限公司、深圳市标准技术研究院及国家纳米科学中心共同参与制定的国际标准——IEC/TS 62565-5-1：2023 Nanomanufacturing - Product specifications - Part 5-1: Nanoporous activated carbon - Blank deta...
中国科学院氧化铪基铁电存储材料研究取得进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 电子器件
2023/9/1
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，导致器件工作电压与先进技...
8月2日至4日，“中国光谷•华为杯”第六届中国研究生创“芯”大赛决赛在华中科技大学举行，全国近900支队伍共研创“芯”，浙江大学微纳电子学院与信电学院师生代表在本届大赛中斩获佳绩：共获全国一等奖1项、二等奖2项、三等奖2项，企业专项奖2项，何乐年教授获优秀指导教师奖。
上海微系统在超导3D纳米桥结的基础研究方面取得重要进展（图）
超导器件 纳米 电路
2023/12/3
最近，中国科学院上海微系统与信息技术研究所陈垒研究员、王镇研究员的研究团队在超导约瑟夫森结物理与电学表征基础研究领域取得了重要进展。研究团队通过微纳加工与测量表征技术相结合，成功实现了超导3D纳米桥结电流相位关系的精确测量，并揭示了约瑟夫森桥结的电流相位关系随着其几何尺寸缩放的变化规律，为进一步深入研究超导约瑟夫森结的物理与应用提供了有效的实验与分析表征方法。相关成果于2023年8月13日以题为“...
中国科学院微电子所在氧化铪基铁电存储材料方面取得重要进展（图）
氧化铪基 铁电存储材料 晶体结构 微电子器件
2023/8/21
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度以及操作次数都提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电翻转势垒和“独立翻转”的偶极子翻转模式，使基于该铁电材料的器件具有高矫顽场，进而导致器件工作电压...
天津市集成电路行业协会组织企业参加第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会
天津市 集成电路 半导体 展示会
2023/11/28
2023年8月9日，第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC) 在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕！天津市集成电路行业协会组织众望赛米控（天津）科技有限公司、天津太航金属材料有限公司等多家企业参展。
中国科大在高频声表面波器件领域取得突破（图）
器件 微电子 耦合
2024/2/27
自1965年叉指换能器（IDT）和声表面波（SAW）技术被发明以来，声表面波谐振器被广泛应用于2 GHz以下的中、低频无线通信。随着无线通信发展进入5G和6G，标准定义的新频段均在3 GHz以上，带宽均在500 MHz以上，这使得传统的SAW技术在高频、高品质因数、高机电耦合系数等方面遇到了发展瓶颈。主要的限制在于传统SAW技术使用单一的压电系数来实现电能与机械能的相互转换。
浙江大学微纳电子学院俞滨教授、徐杨教授团队以“神经形态计算的核心处理神经元启动电路模式”为题，在InfoMat上发表国际合作研究论文(https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/inf2.12465)。InfoMat是工程与计算大学科、材料与化学大领域的前沿期刊，在相关领域的国际科研界享誉盛名。博士生李涵茜、胡加杨为论文第一作者。该成果得到国家...
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室研究团队，在利用强场激光驱动单层MoS2的偶次谐波频移方面取得进展。相关研究成果以Frequency shift of even-order high harmonic generation in monolayer MoS2为题，发表在《光学快报》（Optics Express）上。
CMOS高性能数据转换器设计培训受到工程师欢迎（图）
CMOS 数据转换器
2023/11/28
2023年8月1日-2日，由国家集成电路设计深圳产业化基地和工业和信息化部人才交流中心共同组织的“芯动力人才计划第117期国际名家讲堂”在深圳成功举办。本次培训特邀澳门大学微电子研究院副院长(学术)，模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室副主任冼世荣讲授CMOS高性能数据转换器设计。本次培训吸引了23家企业，共计60余位集成电路工程师参加。
