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本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中科院微电子所毫米波GaN功率器件研制成功（图）
中科院微电子所 毫米波GaN功率器件
2010/1/20
近日，毫米波GaN功率器件在中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。
微电子所毫米波GaN功率器件研制成功
功率 器件
2011/11/4
近日，毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构，有效缩短了栅长，降低了寄生电容。其截止频率（fT）104.3GHz，最高振荡频率（fmax）达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm，并进行了30G下的功率测试，是国内目前已知相关研究中的最高频性能。