搜索结果: 1-15 共查到“电子科学与技术 中国科学院”相关记录2147条 . 查询时间(3.838 秒)
中国科学院化学所在高效稳定的钙钛矿太阳能电池研究中取得进展（图）
钙钛矿 太阳能电池 器件 性能
2024/5/16
钙钛矿材料光电性能优异，具有吸收系数高、光电特性可调、双极性输送能力优异的特点，同时兼具材料用量少、组件价格低廉、投资成本低的优点，这使钙钛矿光伏在应用场景上更有潜力。钙钛矿太阳能电池（pero-SCs）作为一种前景广阔的光伏技术受到广泛研究，其中载流子的提取和转移对器件性能至关重要。
中国科学院上海微系统所等开发出可批量制造的新型光学“硅”与芯片技术（图）
光子芯片 集成电路 薄膜
2024/5/12
2024年5月8日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员欧欣团队在钽酸锂异质集成晶圆及高性能光子芯片制备领域取得突破性进展。相关研究成果以《可批量制造的钽酸锂集成光子芯片》（Lithium tantalate photonic integrated circuits for volume manufacturing）为题，发表在《自然》（Nature）上。
中国科学院国家纳米中心在利用电子顺磁共振技术测量分子构象方面取得进展（图）
纳米 测量 分子 半导体材料
2024/4/26
分子半导体材料具有超长的室温自旋寿命，在实现室温高效自旋输运和调控方面具有很大潜力，其结构多样性、可设计性以及丰富的光电特性为分子自旋电子学的发展提供了广阔空间。分子半导体材料化学结构与自旋输运性质之间的构效关系研究是开发高效自旋输运分子半导体材料以及构建高效自旋器件的重要基础，而电子顺磁共振技术在分子材料自旋寿命探测中的应用为该研究方向的发展提供了有效的测量手段。
中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
中国科学院半导体所在自旋器件翻转新机制方面取得重要进展（图）
电子器件 磁场 拓扑
2024/4/22
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而，经过二十年的科学探索，人们仍然无法定量甚至定性地理解面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。例如，自旋器件的翻转电流大小及其对称性无法通过磁单畴旋转或磁畴壁解钉扎等现有理论模型解释，面内磁场通常导致无法理解的垂直磁矩翻转等。为此，中国科学院半导体研究所朱礼军研究员团队在Advanced Mate...
中国科学院合肥研究院等创制出套娃结构碳管阵列并构筑出小型化滤波电容器（图）
滤波电容器 集成电路 芯片
2024/3/15
2024年3月15日，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所研究员孟国文和韩方明团队，与美国特拉华大学教授魏秉庆合作，在前期基于结构一体化三维互连碳管网格膜的高性能滤波电容器的基础上，设计制备了类似“俄罗斯套娃”结构的多壳层同轴碳管的三维互连阵列，进而将其作为对称型双电层电容器的电极，构建了新型滤波超级电容器。类套娃结构的多壳层同轴碳管阵列在提高电极面积和比电容的同时，不影响电解液离子的传输速...
中国科学院金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应
铁电极化 器件结构 半导体电极材料
2024/3/15
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 （或开关比）是衡量隧道结性能的核心指标。2005年，理论模型提出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强度等相...
中国科学院化学所在制备强荧光二维共轭聚合物半导体材料方面获进展
聚合物 半导体材料 光电性能
2024/3/15
二维共轭聚合物（2DCPs）是一类新型的半导体材料体系。2DCPs独特的拓展二维共轭结构，预示着优异的光电特性，在有机电子学领域颇具应用前景。然而，目前报道的多数2DCPs材料的光电性能相对较差，以及具有强荧光特性的二维共轭聚合物半导体方面的报道较少。该类材料荧光猝灭的原因是2DCPs体系中紧密的层间π-π堆叠使其能量耗散严重，导致其不发光或者荧光特性差。
中国科学院金属研究所外延应变调控铁电极化实现巨大隧穿电致电阻效应（图）
铁电极化 半导体 界面
2024/3/18
铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构，它利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应来获得不同电阻态，从而实现数据存储功能。由于其中铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构，铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，2024年来在信息存储领域受到广泛关注。隧穿电致电阻 (或开关比) 是衡量隧道结性能的核心指标。2005年理论模型指出，隧穿电致电阻与界面电荷屏蔽效应、铁电极化强...
中国科学院化学所在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得进展（图）
集成聚合物 半导体 分子设计
2024/2/25
随着材料科学和器件技术的发展，可拉伸元件和柔性显示器因在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而备受关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料，发挥着重要作用，并逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是，具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发，对先进和新兴制造技术颇为重要。而通过多级制造实现多功能应用是有机半导体领域的重要挑...
有机发光晶体管（OLETs）是一种兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，独特的电压驱动模式使其具有与现有制备工艺兼容、集成更容易等优势，被认为是实现下一代新型显示技术的重要器件基元。此外，OLET特有的栅压调控功能为实现高效的电子空穴传输及复合提供了新途径，使其在数据通信、照明、智能全彩显示技术以及高密度柔性可视化传感器等方面显示出应用潜力。
中国科学院化学研究所刘云圻课题组在多功能集成聚合物半导体的分子设计方面取得新进展（图）
刘云圻 集成 聚合物半导体 分子
2024/3/17
随着材料科学和器件技术的快速发展，可拉伸元件和柔性显示器因其在下一代可穿戴和可植入式电子器件中的潜在应用而引起了广泛的关注。具有单体结构可调、区域分子协同、本征柔性等特点的聚合物半导体材料在其中起着至关重要的作用，逐渐成为实现多功能应用的重要元件之一。特别是，具有独特的光学、电学、机械和化学特性的多功能集成聚合物半导体的分子设计与开发，对先进和新兴制造技术至关重要。然而，通过多级制造实现多功能应用...
2024年2月6日，中国科学院合肥物质院智能所祝辉、余彪团队在地面无人车辆复杂地形机动性预测研究方面取得进展，三篇相关研究成果相继发表在机器人与智能车辆领域顶刊IEEE Robotics and Automation Letters (IEEE RA-L)和IEEE Transactions on Vehicular Technology (IEEE TVT)上，并且被机器人顶...
中国科学院合肥物质科学研究院科学岛团队在共振隧穿及超高精度测量研究方面取得重要进展（图）
测量 能源材料 器件
2024/5/17
2024年2月1日，中国科学院合肥物质院固体所能源材料与器件制造研究部杨勇研究员在微观粒子的双势垒共振隧穿及基于此开展超高精度测量研究方面取得重要进展。相关研究成果发表在美国物理学会期刊 Physical Review Research 上。
本发明的目的在于提供一种细胞受力行为研究微流控芯片系统，特别是一种针对间充质干细胞受力行为研究微流控芯片系统，其特征在于：该微流控芯片系统将干细胞的接种、长期培养、干细胞受力学刺激及分析检测过程集成在一块功能芯片上完成；该系统由两个基本单元构成：第一个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片，第二个基本单元为细胞受力行为研究微流控芯片外围设备。