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中国科学院物理研究所笼目六角反铁磁Mn3Ga单晶室温大反常霍尔效应（图）
铁磁 霍尔效应 电子学器件
2024/4/16
笼目（kagome）结构磁性材料具有独特的准二维晶体结构、可调控的拓扑能带结构和磁结构，从而表现出大的反常输运行为、磁斯格明子、手性反常等诸多新奇的物理特性。其中，笼目六角反铁磁Mn3X（Ga、Ge、Sn）合金具有拓扑能带结构，可以表现出大的磁电响应效应。同时，兼具反铁磁无杂散场、本征频率高等特性，是新型反铁磁自旋电子学器件理想的候选材料。近年来，Mn3Sn和Mn3Ge在实验上已经相继被证实其具有...
2013年4月12日出版的《科学》（Science）杂志在“展望”（Perspectives）栏目刊登美国新泽西州立大学物理与天文系教授Seongshik Oh撰写的题为“完整的量子霍尔家族三重奏”（The Complete Quantum Hall Trio）文章，对由清华大学薛其坤院士领衔，清华大学物理系和中科院物理所联合组成的实验团队，在磁性掺杂的拓扑绝缘体薄膜中，从实验上首次观测到的量子反...
硅霍尔效应开关集成电路1301
集成电路 双极型 霍尔器件
2008/10/30
1301硅霍尔效应集成开关传感器能提供快速、清洁、精确的开关。它是专用于电脑、自动控制、检测系统仪器表中的无刷直流风扇和其它用途。采用双极型集成电路和先进的制造工艺技术，每个器件集成了霍尔电压产生器，信号放大器，施密特触发器，集电极开路输出和芯片内部电压调节器，可以在外部电源4.5V至18V工作。开关输出能源和5mA电流，可直接同双极型或MOS型逻辑线路联接应用。工作温度范围0-70度，解决了磁场...
自旋电子学是近年来飞速发展的前沿学科领域之一。 自旋轨道耦合是影响常见的半导体材料自旋调控和弛豫的重要物理机理， 因此是半导体自旋电子学器件应用必须考虑的关键因素。近年来，国际上关于半导体中自旋轨道耦合引致的各种新奇的物理现象并取得了许多重要的进展，如本征自旋Hall效应等。这些研究为在半导体中产生自旋流提供了新的途径，并为未来的全电操纵的自旋电子学器件提供了物理基础。但是，在这些工作中大多分别独...