搜索结果: 1-15 共查到“核科学技术 器件”相关记录31条 . 查询时间(0.22 秒)
基于宽禁带半导体的新型辐射探测器具有耐高温、抗辐照、低噪声的优势,在航空航天、聚变诊断、深地测井等应用场景中具有广阔的应用前景。但是半导体探测器信号微弱,需要与前置放大器等前端电子学电路紧密连接才能达到较好的测量效果,而传统硅(Si)半导体前置放大器难以耐受高温环境,亟需研究开发新型耐高温、低噪声的前置放大器。
辐射伏特效应核电池换能器件中的β粒子能量沉积行为
Geant4 63Ni β辐射伏特效应 能量沉积行为
2022/3/31
基于位置敏感半导体光电器件的同步辐射光斑位置检测
光电位置传感器 光斑位置 同步辐射 二维探测
2022/3/31
四川省重大科技支撑项目“介质壁加速器功能材料和功率器件开发”,经过两年不懈努力,突破了该项目产品因超大超薄导致的易裂易碎以及性能指标、成品率低等世界性难题。该项目产品的成功研发,拓宽了微波介质陶瓷材料的应用领域,推动了我国高功率脉冲系统的研究与发展,为我国高功率脉冲系统固态化、小型化、轻便化开辟了一条新途径。目前,该项目已通过四川省科技厅组织的专家验收,为进一步开发“介质壁加速器加速单元”、“超大...
氮化镓(GaN)是一种III / V直接带隙半导体,作为第三代半导体材料的代表,随着其生长工艺的不断发展完善,现已广泛应用于光电器件领域,如激光器(LD)、发光二极管(LED)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性,使得其在核探测领域具有很好的应用前景,在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池相比于常规的窄带半导体核电池而言,具有更高...
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
2010/7/13
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。
54HC系列CMOS器件脉冲与稳态γ总剂量效应异同性研究
54HC CMOS 脉冲总剂量损伤 效应损伤因子
2011/8/22
针对现有脉冲辐射模拟装置在模拟真实环境方面累积剂量偏小的特点,开展了54HC系列CMOS器件脉冲γ与60Co γ总剂量效应损伤异同性研究,获取器件效应损伤因子,以期通过对稳态辐射环境下电路总剂量损伤阈值的测量预估脉冲高剂量率环境下的总剂量损伤阈值。研究结果表明,无论选择哪种敏感参数进行效应损伤异同性研究,稳态辐照造成的总剂量损伤总是高于脉冲辐照,即稳态总剂量引起的器件阈值电压漂移、静态功耗电流增加...
GaN核辐射探测器材料与器件研究进展
GaN 核探测器 金属有机化学气相淀积 氢化物气相外延
2010/8/20
文章介绍GaN材料作为核探测器的潜在优势和国内外的研究状况,并概要综述GaN材料外延的主要技术、特点及其最新发展。通过模拟计算,总结了使用GaN制备核探测器对材料的基本要求。同时,根据目前的研究现状,提出了在GaN材料生长和器件制作方面存在的主要技术问题及其解决方向。