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中国科学院大连化学物理研究所专利：一种平板式离子迁移谱
中国科学院大连化学物理研究所 专利 平板式 离子迁移谱
2024/1/26
本发明为一种夹角平板式非对称场离子迁移管，包括电离源、V形电极、平板电极，阵列检测器、高压射频电源HV、直流扫描电源CV。V形电极与平板电极正对，形成对称结构；V形电极或平板电极通过导线与高压射频电源相连，平板电极或V形电极通过导线与大地相连；平行于V形截面的一端外侧设置有电离源和样品气入口；另一端设置有气体出口，在气体出口处靠近V形断面处设置有阵列检测器。本发明可以在不改变扫描电压的情况下，同时...
本发明公开了一种可选择性检测正、负离子的平板式差分离子迁移谱，包括正负离子分离区、离子迁移区和检测区；正负离子分离区由两组平行的电极对（或平行栅网）组成，平行的电极对（或平行栅网）上施加一定的电压差，仅仅通过切换两电极间的电场方向实现正、负离子的空间分离；选择性将正离子或者负离子引入漂移去和检测区。这样可以避免正、负离子由于相互吸引而引发的正、负离子复合，提高检测灵敏度。
考虑边缘效应的平行平板式静电微执行器Pull-in模型
Pull-in MEMS 边缘效应 微执行器
2014/4/29
在MEMS执行器的设计中，求出准确的pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中，对漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器，通常只能采用有限元法数值求解。但是，有限元法繁琐、费时、不直观。平行平板电容器漏电容解析模型通常有两种：一种简单的；一种详细的。基于这两种漏电容解析模型，本文分别导出了它们对应的Pull-in失稳方程，并将求解结果与ANSYS耦合场分析结果做了对比。结果表明，基于详细漏电容...
一种新型平板式压电六维力/力矩传感器及仿真实验
压电传感器 力/力矩传感器 有限元 六维
2014/4/30
针对弹性体式六维力/力矩传感器存在的瓶颈矛盾，提出了一种新型平板式压电六维力/力矩传感器。首先，介绍了传感器的结构和工作原理。然后，推导了传感器的数学模型，建立了传感器的有限元模型。最后，得到了传感器输出的电荷灵敏度、维间干扰、固有频率、载荷传递系数、退耦矩阵等重要参数。研究结果表明：传感器结构简单合理、数学模型正确、加工工艺性好、线性度好、刚度高、固有频率大于25KHz、使用退耦矩阵后的维间干扰...