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中国科学院金属研究所专利：一种制备定向纳米孪晶的方法
中国科学院金属研究所 专利 定向 纳米孪晶
2024/1/30
本发明涉及纳米孪晶技术,具体为一种制备定向纳米孪晶的方法。处理方法 为脉冲电流处理,放电周期1μs～500μs,最大峰值电流密度103～105A/mm2,单个 脉冲的持续时间1μs～10000μs。本技术的特点在于：脉冲电流处理过程中,材料 经过固-固相变点；脉冲电流处理后的材料具有与电流方向平行的定向纳米孪晶结 构。
本发明涉及一种硼酸锌碱金属化合物在光催化下针对氯酚类污染物脱氯的方法，该方法以氯酚为污染物，在硼酸锌碱金属化合物位硼酸锌钾，硼酸锌钠，硼酸锌钾钠的存在下，在汞灯（主发射波254 nm）照射下对其进行脱氯，在15 min内，脱氯的效率可达97% 以上，通过紫外可见光谱仪、高效液相色谱仪及离子色谱仪分析，发现该类氯酚最终降解为苯酚，对苯醌及含氯的溶液。本发明所述方法操作工艺简单，成本低，能高效、快速的...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 金属氧化物 半导体 图像传感器 单粒子效应 图像在线采集
2024/1/5
本发明涉及一种互补金属氧化物半导体图像传感器单粒子效应试验图像在线采集方法，该方法中涉及的远距离传输的图像转接装置是由测试板、第一Camerlink数据线、同轴发送盒、同轴穿罐电缆、同轴接收盒、第二Camerlink数据线、光纤发送端、光纤电缆、光纤接收端和图像采集计算机组成，通过设置图像采集软件的频率和图像模式使其满足互补金属氧化物半导体图像传感器要求，再设置图像传感器成像的增益、积分时间和帧率...
中国科学院金属研究所专利：一种磁性多孔炭吸附剂及其制备方法
中国科学院金属研究所 专利 磁性 多孔炭吸附剂
2023/12/27
本发明涉及炭吸附剂的制备技术,具体为一种磁性多孔炭吸附剂及其制备方 法。为了实现粉状吸附剂的回收再利用和染料等大分子有机污染物的高效吸附, 在碱性溶液中得到磁性金属氢氧化物胶体并与树脂溶液混合；在此过程中,氢氧 化物胶体是模板,水是树脂的原位析出剂,在液相中直接得到树脂/氢氧化物胶体 的复合体系。除去溶剂后经过炭化和/或活化过程,可制备磁性负载的重量可控、 中孔/大孔尺寸、比例可控的具有的磁性多孔...
中国科学院金属研究所专利：一种高灵敏度超声波探头
中国科学院金属研究所 专利 高灵敏度 超声波探头
2023/12/26
一种高灵敏度超声波探头,包括连接头(1)、外壳(2)、阻尼块(3)、 电缆线(4)、二极管(5)、声透镜(6)、电缆线(7)；其特征在于：所述 的高灵敏度超声波探头包括2到20个能发射和接收超声波的元件(8)；其 中：连接头(1)与外壳(2)固连,阻尼块(3)固定安装在外壳(2)的 内部,电缆线(4)与二极管(5)相连,安装在外壳(2)的内部,声透镜 (6)安装在能发射和接收超声波的元件(8)的下...
中国科学院金属研究所专利：一种用于管材和/或棒材缺陷检测的探头旋转式超声探伤的耦合装置
中国科学院金属研究所 专利 管材 棒材 缺陷检测 超声探伤 耦合装置
2023/12/26
一种用于管材和/或棒材缺陷检测的探头旋转式超声探伤的耦合装置包 括探头旋转体,1~8个探头,进水道,喷水道,耦合腔,压紧圈,偏心套, 调节螺母,调节螺杆,紧固螺丝1,紧固螺丝2；探头插入调节螺杆中,偏 心套置于压紧圈中,在旋转体中心有一轴向钻孔,在工件进出孔的周围有 1~8个轴向钻孔作为进水通道；在旋转体四周钻有1~8个探头孔,探头孔径 向上靠外端设置探头,探头孔径向上靠近圆心端充水作为耦合腔,在...
中国科学院金属研究所专利：耦合磁场辅助电弧离子镀沉积装置
中国科学院金属研究所 专利 耦合磁场 电弧离子镀 沉积装置
2023/12/26
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种耦合磁场辅助电弧离子镀沉 积装置,用以提高薄膜的沉积速率和沉积均匀性,减少靶材大颗粒的发射,提高 靶材刻蚀均匀性。本实用新型电弧离子镀沉积装置设有两套磁场发生装置,一套 放置于靶材后面,另一套放置于真空室内,通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场辅助对基体进行沉积。本实用新型通过两套耦合的磁场发生装置产生的 耦合磁场,解决了传统工艺等离子在传输空间分布...
中国科学院金属研究所专利：一种改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置
中国科学院金属研究所 专利 电弧离子镀 沉积工艺 动态磁控弧源
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种新型的改善电弧离子镀沉积 工艺的动态磁控弧源装置。所述改善电弧离子镀沉积工艺的动态磁控弧源装置设 有动态控制磁场发生装置、靶材、靶材底座,靶材安装于靶材底座上,动态控制 磁场发生装置为主控磁场发生装置和辅助磁场发生装置构成,主控磁场发生装置 放置于靶材后面,和靶材同轴放置,辅助磁场发生装置套在主控磁场发生装置周 围。本实用新型通过两组磁场发生装置配合使用,...
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备
中国科学院金属研究所 专利 PLC可控 旋转横向磁场 电弧离子设备
2023/12/25
本实用新型涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动 的PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子镀设备。该电弧离子镀设备设有靶材、 旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内设置基 体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于真空室 外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与法兰套 或者炉体管道之间通过绝缘保护。本实用新型通...
中国科学院金属研究所专利：一种硬质薄膜残余应力测试仪
中国科学院金属研究所 专利 硬质薄膜 残余应力 测试仪
2023/12/25
本实用新型涉及硬质薄膜残余应力测量技术,具体地说是一种硬质薄膜残余 应力测试仪,解决精确测量硬质薄膜的残余应力等问题,该测试仪包括激光器、 半透镜、光感器,激光器的入射激光束与半透镜倾斜设置,半透镜的另一侧设置 有拱形试片。试片因单面薄膜应力产生弯曲,通过测定试片曲率半径可以计算相 应的薄膜应力。采用He-Ne激光器产生入射光束,依次经由半透镜的透射及试片 表面的反射到达光感器(四象限硅光电池接收...
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子设备
中国科学院金属研究所 专利 PLC可控 旋转横向磁场 电弧离子设备
2023/12/25
中国科学院金属研究所专利：PLC可控的旋转横向磁场辅助电弧离子设备
本发明涉及一种系列碱金属硼硫酸盐化合物和碱金属硼硫酸盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该系列化合物的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，分子量分别为271.38，313.50，406.24和501.12；该系列晶体的分子通式为M2B4SO10，M=NH4,K,Rb,Cs，别为(NH4)2B4SO10，K2B4SO10，Rb2B4SO10或Cs2B4SO10,分子量分别为271....
中国科学院金属研究所专利：多模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置
中国科学院金属研究所 专利 旋转横向 磁场控制 电弧离子镀
2023/12/21
本发明涉及薄膜制备领域,具体地说是一种利用旋转磁场控制弧斑运动的多 模式可编程调制的旋转横向磁场控制的电弧离子镀装置。该电弧离子镀装置设有 靶材、旋转磁场装置、电磁线圈、绝缘套、法兰、真空室、基体夹座,真空室内 设置基体夹座、靶材,靶材正面与基体夹座相对,靶材背面设有电磁线圈,置于 真空室外的旋转磁场发生装置套在围绕于靶材之外的法兰套或者炉体管道上,与 法兰套或者炉体管道之间通过绝缘保护。本发明通...
中国科学院合肥物质科学研究院专利：一种制备碱土金属铁钼氧化物磁性材料的方法
中国科学院新疆理化技术研究所专利：含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体及制备方法和应用
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 碱土金属缺陷 黄铜矿类型化合物 红外 非线性光学 晶体
2023/12/14
本发明涉及含碱土金属缺陷黄铜矿类型化合物和红外非线性光学晶体的制备方法及应用，该化合物的分子通式为AGa2Se4，式中A为碱土金属元素Be或Mg，其化学式BeGa2Se4，分子量为464.29；化学式MgGa2Se4，分子量为479.59；该BeGa2Se4晶体不具有对称中心，属四方晶系，空间群为I2m，晶胞参数为：a＝b＝5.5002(9)Å，c＝10.7185(5)Å，α＝...