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天津市集成电路行业协会、天津国家芯火双创平台成功举办集成电路专场生态交流会（图）
天津市 集成电路 芯火
2023/11/28
2023年8月10日，天津滨海高新区“育见独角兽”集成电路专场生态交流会在芯火基地成功举办。此次活动由高新区科技局指导，天津国家芯火双创平台、天津市集成电路行业协会、长城战略咨询、天津自创区新经济研究院联合主办；企业、资本方、服务机构共计40多人参会。
天津市集成电路行业协会组织企业参加第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会
天津市 集成电路 半导体 展示会
2023/11/28
2023年8月9日，第十一届(2023年)半导体设备材料与核心部件展示会(CSEAC) 在无锡太湖国际博览中心拉开帷幕！天津市集成电路行业协会组织众望赛米控（天津）科技有限公司、天津太航金属材料有限公司等多家企业参展。
天津市集成电路行业协会参展参会2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会
天津市 半导体大会 博览会 半导体
2023/11/28
2023年7月19-21日，天津市集成电路行业协会携多家会员企业组团参展参会了在南京举行的2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会。参加本次博览会的天津市集成电路行业协会成员单位有：飞腾信息技术有限公司、井芯微电子技术（天津）有限公司、天津天芯微系统集成研究院有限公司、芯灵通（天津）科技有限公司、天津市菲莱科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所等6家单位，分别展示了各自在半导体领域的...
南京邮电大学集成电路科学与工程学院肖建教授入选2023年江苏省教学名师（图）
肖建 江苏省 教学名师 电工电子
2024/2/5
近日，江苏省教育厅公布2023年江苏省教学名师人选名单，南京邮电大学集成电路科学与工程学院肖建教授成功入选。
近日，浙江大学首届优秀教材奖名单揭晓，共87本教材入选浙江大学首届优秀教材奖。其中浙江大学微纳电子学院何乐年教授编著的《模拟集成电路设计与仿真》获特等奖。热烈祝贺何乐年老师！
首届集成电路国际会议（ISIC2023）在南京举办（图）
集成电路 国际会议 ISIC 南京
2023/10/15
2023年7月22日-23日，由东南大学、国务院学位委员会集成电路科学与工程学科评议组、集成电路产教融合发展联盟主办，清华大学、北京大学、复旦大学、浙江大学、上海交通大学、电子科技大学、西安电子科技大学承办，南京江北新区管理委员会、国家集成电路设计自动化技术创新中心协办的首届集成电路国际会议（ISIC2023）在南京江北新区举行。
2023年7月14日，以“洞见·破局·新发展——以产教融合促进经济社会和人才高质量发展”为主题的2023（首届）产教融合发展大会在河北雄安举办。此次会议由第三代半导体产业技术创新战略联盟承办，来自全国各地高校、职业院校、行业企业、社会组织等产教融合各参与主体的代表700余人参会。南京邮电大学副校长、学院院长郭宇锋教授受邀参加并发言。
华南理工大学广州国际校区全面交付暨集成电路学院揭牌仪式举行（图）
华南理工大 广州 集成电路
2024/4/26
2023年7月16日上午，华南理工大学广州国际校区全面交付暨集成电路学院揭牌仪式举行。华南理工大学党委书记章熙春、校长张立群，省政府副秘书长许典辉，省教育厅厅长朱孔军，广州市副市长江智涛，中国科学院院士、香港大学原校长郑耀宗，番禺区委常委、常务副区长麦洁萍，学校党委副书记陶韶菁，党委副书记、纪委书记徐国正，党委副书记麦均洪，副校长朱敏、李正、徐向民、晋刚，越秀集团党委副书记、总经理林昭远，越秀地产...
中国科学院微电子研究所专利：冗余金属填充方法和集成电路版图结构
中国科学院微电子研究所 专利 冗余金属 填充方法 集成电路版 图结构
2023/7/10
中国科学院微电子研究所专利：冗余金属填充方法和集成电路版图结构
中国科学院微电子研究所专利：一种集成电路的器件参数优化方法
中国科学院微电子研究所 专利 集成电路 器件参数优化
2023/7/7
中国科学院微电子研究所专利：一种集成电路的器件参数优化方法
中国科学院微电子研究所专利：集成电路的测试装置
中国科学院微电子研究所 专利 集成电路 测试装置
2023/7/7
专利名称:集成电路的测试装置
专利类别:发明专利
申请号:201210576911.X
申请日期:2012-12-26
专利号:201210576911.X
第一发明人:谢朝辉;赵明琦;王德坤;刘海南;黑勇;周玉梅
实施情况:授权
专利证书号:201210576911.X
其它备注:硅器件中心
中国科学院研究发展出单层二硫化钼低功耗柔性集成电路（图）
二硫化钼低 集成电路 二维半导体
2023/7/4
柔性电子是新兴技术，在信息、能源、生物医疗等领域具有广阔的应用前景。其中，柔性集成电路可用于便携式、可穿戴、可植入式的电子产品中，对器件的低功耗提出了极高的技术需求。相对于传统半导体材料，单层二硫化钼二维半导体具有原子级厚度、合适的带隙且兼具刚性（面内）和柔性（面外），是备受瞩目的柔性集成电路沟道材料。然而，推动二维半导体柔性集成电路走向实际应用并形成竞争力，降低器件功耗、同时保持器件性能是关键技...