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本发明涉及一种辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器满阱的测试方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源和计算机组成，当样品辐照前的饱和输出小于4000DN时，通过计算样品辐照后所有像素位置的亮场平均灰度值与暗场平均灰度值的差值，绘制光响应曲线，光响应曲线在达到饱和时的像素输出灰度值即为饱和输出，将该值除以转换增...
本发明涉及快速鉴别辐照后互补金属氧化物半导体传感器随机电码信号的方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、样品测试板、互补金属氧化物半导体传感器样品和计算机组成，利用计算机上安装的读图软件采集大量暗场图像，将图像数据转换为灰度值随时间变化的信号；然后将所获得的灰度值随时间变化的像素信号重新排序，求出其梯度信息，再对像素信号的梯度信息进行滤波，将滤波后的梯度信号与原始的重新排序后的信号相结合，进行重建，...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照饱和 灰度值评估
2023/12/21
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后饱和灰度值评估方法，该方法涉及装置是静电试验平台、积分球光源、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，首先打开积分球光源，并关闭测试室中其他照明光源，然后设置积分球光源为固定光强，由小至大调整积分时间，使输出图像由黑至最亮，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 通道分离 大面阵 彩色CMOS图像传感器 辐照后暗电流
2023/12/13
本发明涉及一种基于通道分离的大面阵彩色CMOS图像传感器辐照后暗电流评估方法，该方法涉及装置是由静电试验平台、三维样品调整台、样品测试板、大面阵彩色CMOS图像传感器样品、直流电源和计算机组成，在暗场条件下，选定积分时间，利用经过辐照后的图像传感器获取暗场图像并保存，根据坐标将图像传感器不同像素单元的相应数据归类放入R、GB、GR或B通道的灰度值矩阵中，再改变积分时间，最后画出暗场下各通道的曲线，...
本发明涉及一种基于图像传感器量子效率的相机辐照后分辨率退化评估方法，该方法中涉及装置是由相机、光学镜头、夹具、计算机、电源、中性灰背板、反射面光源光谱光度计和色彩测试卡组成。该方法首先调整夹具拍摄色彩测试卡，再调节光学镜头，使测试卡成像清晰后采图，选取红绿蓝色块与灰阶作为分析对象，通过数据处理软件获取所选取红绿蓝色块RGB坐标系下的坐标值、图像最大与最小灰度值等参数的相关信息，然后计算出相机辐照后...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 不同光强 CMOS图像传感器 像素单元 满阱容量 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种不同光强对辐照后CMOS图像传感器像素单元满阱容量影响的仿真方法，该方法确定氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态作为TCAD软件中电离效应模型的输入参数，通过实验获得γ射线辐照后的暗电流曲线，在对氧化物陷阱电荷、类施主型界面态和类受主型界面态进行电学校准，获得三种缺陷与累积剂量之间的比例因子，建立CMOS图像传感器像素单元电离辐射效应模型，再在CMOS图像传感器像素单元曝光...
近日，中国科学院高能物理研究所团队研制出具有良好抗辐照性能的硅超快传感器。该传感器基于低增益雪崩放大二极管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。经过ATLAS合作组与RD50合作组的测试，该传感器是目前抗辐照性能最好的LGAD硅超快传感器之一，达到ATLAS实验高颗粒度高时间分辨探测器项目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要...
基于离轴抛物面镜的准直光学系统因其无色差、材料易得、工作谱段宽、无中心遮挡等优点被广泛应用于传感系统校准、辐射测量、红外目标模拟器等系统中。为了分析设计的准直系统是否满足实际需求,对准直系统输出的辐照度特性进行了理论分析及仿真研究。基于辐照度传输模型给出了准直系统输出面辐照度分布表达式,并给出了准直光束发散角与抛物面焦距、光源口径及离轴角之间等的定量关系。采用光线追迹方法仿真分析了准直系统在不同光...
改善CMOS模拟图像传感器成像质量的γ射线辐照方法
γ射线 图像传感器 成像
2008/10/6
改善数字CMOS模拟图像传感器图像质量的γ射线辐照方法，辐照温度为室温，对上述传感器的γ射线辐照剂量为20～120Krad(Si)；在γ射线辐照后进行退火，退火温度为室温至100℃，退火时间为40分钟至15天，退火时间随退火温度的升高而减小，气氛为空气。它对于不均匀性较大的CMOS模拟图像传感器成像质量的改善效果十分明显，可提高优级品率，也可把不均匀性大而不能出厂的CMOS模拟图像传感器变成合格...
多通道窄光谱带水下辐照度传感器
水下辐照度传感器 余弦集光器 光电传感器
2008/9/26
该实用新型是一种分立式多通道窄光谱带的水下辐照度传感器。每一通道由干涉滤光片+光电元件组成，光谱带宽不大于10mm。整个水下辐照度传感器由三个或三个以上的通道和一个余弦集光器组成。余弦集光器包括一片光学漫射片和一块耐压的双凸形透光窗玻璃。整个传感器设计紧凑，使传感器截面的直径小，有效地减少传感器的自阴影效应，提高了水下光谱辐照度测量精度达20%以上。