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CCD在不同注量率电子辐照下的辐射效应研究
线阵CCD 电子辐照 电离总剂量效应 时间相关效应
2012/3/28
对TCD1209线阵CCD进行能量为11 MeV的电子辐照试验，采用两种不同的注量率辐照后，对器件进行常温退火试验，在辐照与退火过程中考察CCD的光响应灵敏度、暗电流、参考电平、功耗电流等特性参数的变化规律。结果表明，CCD受电子辐照后主要产生电离总剂量损伤，在不同注量率电子辐照下的辐射损伤效应类似于MOS器件的时间相关效应。
CCD型束流截面探测器
CCD型束流截面 电荷耦合器
2008/12/17
CCD型束流截面探测器的主要特点是使用电荷耦合器件做传感器,用束流同步光中的可见光成份做为信号源。该探测器同时具有模拟量和数字量两种输出,工作周期短,速度高,不影响束团粒子寿命,在电子储存环物理运行中,是一种有效的探测设备。