搜索结果: 1-9 共查到“知识库 工学 ZnSe”相关记录9条 . 查询时间(0.098 秒)
3~5 μm中红外激光处于大气传输窗口,在分子光谱学、环境遥感、工业加工、空间通讯、光电对抗等领域有重要的应用前景。过渡金属掺杂II-VI族硫化物晶体可以直接实现中红外激光输出,是最有前途的技术途径之一。具有优良物理特性和光谱特性的Fe:ZnSe晶体是高效、宽带可调谐中红外激光介质的有力竞争者,介绍并分析了Fe:ZnSe晶体的光谱特性及其制备方法,综合评述了Fe:ZnSe激光技术的发展历程和最新研...
ZnSe / ZnS Quantum-Dot Semiconductor Optical Amplifiers
Linear Absorption Coefficient Linear Emission Coefficient Rate Equations (Res) Noise Figure
2013/1/30
ZnSe quantum dot (QD) semiconductor optical amplifier (SOA) is studied theoretically using net gain for linear Absorption coefficient and linear emission and these results are used to calculate noise ...
基于ZnSe/Ag/ZnSe可见区透明导电薄膜
透明导电薄膜 ZnSe Ag 功函数
2011/8/11
利用红外光学材料ZnSe和金属Ag在室温下采用电子束蒸发镀膜技术研制了透明导电薄膜ZnSe/Ag/ZnSe,该薄膜的电子浓度为1.208×1020 cm－3,电子迁移率和电阻率分别为17.22 cm2 V－1 s－1和2.867×10－5 Ω·cm,功函数达到5.13 eV,在可见区的平均透过率理论模拟值超过80%,而测量结果为63.8%,测量的最高透过率为83%.结果表明,该透明导电薄膜具有良好...
微波法制备Mn2+掺杂ZnSe纳米材料及谱学性能研究
微波合成 过渡金属掺杂 纳米ZnSe 发光性能
2011/4/27
过渡金属掺杂的Ⅱ-Ⅳ族纳米材料有望替代CdSe类量子点作为新型的荧光标记物而受到广泛关注。利用微波加热法的体加热特点，以不同有机胺为配体溶剂，控制反应条件，制备了Mn2+掺杂的ZnSe纳米材料，并分别利用TEM、EDS、荧光光谱等手段对其形貌、结构和性能的关系进行了探索。Mn2+掺杂的纳米ZnSe粒子为200～500 nm的球形粒子，表面平整，为单晶的纤锌矿结构。掺杂后纳米粒子的发射峰显示Mn2+...
基于MEH-PPV/ZnSe纳米复合器件的电致发光特性的研究
纳米复合器件 MEH-PPV/ZnSe 电致发光
2009/4/30
以巯基乙酸作为稳定剂在水相中制备了ZnSe纳米晶，用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对其进行了表征。用表面活性剂将ZnSe纳米晶从水相中转移到有机相中，使其与聚合物MEH-PPV复合作为发光层，制备了多层电致发光器件Glass/ITO/MEH-PPV∶ZnSe/BCP/Alq3。对ZnSe纳米晶和MEH-PPV薄膜的光致发光谱及其吸收光谱的比较表明ZnSe纳米晶和MEH-PPV...
ZnSe/GaAs/Ge高效太阳能电池的研制
太阳能电池 功能材料
2008/10/23
该项研究首次提出了可用ZnSe/GaAS/Ge三种功能匹配材料的来制作高效太阳电池，并对极联多结太阳能转换功能材料的ZnSe p-n结的光谱响应曲线，制作了极联多结太阳电池的阶段性样品，为实用化提供了技术储备，并对进一步提高太阳电池效率这一世界性关注的问题，有重要的学术意义，实验结果对实际应用有指导意义，该研究居国际先进水平。
分析了连续激光辐照ZnSe/MgF2/K9滤光片引起透射特性的变化。在室温条件下，用波长0.632 8μm激光作为探测光束，测量了1.06μm连续激光辐照ZnSe/MgF2/K9滤光片温升引起薄膜折射率的改变，导致探测光束通过干涉滤光片后透过率的热致非线性变化。在光斑直径0.75mm条件下，测量了不同功率激光辐照ZnSe/MgF2/K9滤光片引起温升随时间的变化。在激光功率30W，辐照时间2.52...
以Zn(NH4)3Cl5为输运剂气相生长ZnSe单晶
无机非金属材料 ZnSe体单晶 化学气相输运
2007/10/26
文章摘要：
以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂，ZnSe多晶为原料，用化学气相输运技术（CVT）在封闭石英管中生长出直径为9 mm、长度为25 mm的Zn1+0.031Se单晶。晶体生长区的温度为898~915 ℃，温度梯度为1.5 ℃•cm-1，生长周期为21 d。晶体生长端由{111}和{100}单形包围。用RO-XRD技术研究了晶体...