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何毓琦(Yu-Chi Ho),控制论专家。美国国籍。生于中国上海。1953年毕业于美国麻省理工学院,1955年获该校硕士学位,1961年获美国哈佛大学博士学位。1961-1969年,先后任美国哈佛大学应用物理与工程系助教授、副教授。美国国家工程院院士(1988)。
王阳元 浙江宁波人。1958年北京大学物理系毕业。北京大学信息技术学院微电子学研究院教授、首席科学家。主持研究成功我国第一块3种类型1024位Mos动态随机存储器,是我国硅栅N沟道Mos集成电路技术开拓者之一。提出了多晶硅“应力增强”氧化模型、工程应用方程和掺杂浓度与迁移率的关系,对实践有重要的指导意义。研究了亚微米电路的硅化物/多晶硅复合栅结构的应力分布。发现磷掺杂对固相外延速率的增强效应 以...
杨芙清 江苏无锡人。1958年北京大学数学力学系研究生毕业。北京大学信息科学技术学院教授、北京大学信息与工程科学学部主任、软件工程国家工程研究中心主任、软件与微电子学院理事长、国务院学位委员会学科评议组召集人。
杨芙清 江苏无锡人。1958年北京大学数学力学系研究生毕业。北京大学信息科学技术学院教授、北京大学信息与工程科学学部主任、软件工程国家工程研究中心主任、软件与微电子学院理事长、国务院学位委员会学科评议组召集人。

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