搜索结果: 1-10 共查到“知识要闻 工学 SiC”相关记录10条 . 查询时间(0.156 秒)
中国科学院理化所报道升量级SiC气凝胶的快速低成本制备技术（图）
气相沉积 纳米 合成
2024/9/17
碳化硅（SiC）是一种典型的非氧化物高技术陶瓷，SiC陶瓷产业的发展依赖于高端SiC粉体原料与产品的研发与快速、低成本生产。SiC气凝胶是SiC高端产品的另一种典型代表。目前，已报道的如碳热还原法、化学气相沉积法、3D打印技术等能够制备出具有循环压缩性、高拉伸性等优异性能的SiC纳米线气凝胶。但这些方法普遍存在工艺复杂、生产周期长和制造成本高等问题，与成熟的超临界干燥工艺制备的SiO2气凝胶相比缺...
新年伊始，国家宽禁带半导体工程中心共建单位——陕西半导体先导技术中心迎来了完全自主产权的“龙头”产品——3300V 60mΩ SiC MOSFET的问世，即将于3月份面市。此款产品被命名为“龙头3300-60”，是先导中心和西安电子科技大学经过多年技术积累，攻克各项关键技术难题脱颖而出的佼佼者，也是高校核心技术与企业市场优势完美结合的明星产品。
中国科学院过程工程研究所新型SiC陶瓷纤维研制取得进展（图）
中国科学院过程工程研究所 新型 SiC陶瓷 纤维研制
2020/6/18
近日，过程工程所新型SiC陶瓷纤维研制和产业化取得重要进展，连续化纤维产品顺利投产。首批次产品经现场抽样测试性能优良，纤维平均直径12μm，室温弹性模量280GPa，平均拉伸强度3.3GPa，高于日本Hi-Nicalon第二代和第三代纤维的力学强度（2.8~3.0GPa）。该新型陶瓷纤维通过原位引入具有更高模量和更高熔点的ZrC/ZrB2晶界强化纳米相，使SiC纤维的抗高温蠕变和抗氧化能力也同步得...
近日，中国科学院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）碳化硅电力电子器件研究团队在SiC MOSFET器件研制方面取得重要进展，成功研制出1200V/15A、1700V/8A SiC MOSFET器件。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料，具有禁带宽度大、临界击穿场强高、热导率高等优点，是制作高压、大功率半导体器件的理想材料。碳化硅电力电子器件，特别是SiC MOSFET器件是下一代高效电力电...
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
据日经BP社报道，住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。SiC与Si相比，由于更加耐高压、耐高温，因此可制造小型高效的功率元件。如果将混合动力车和电动汽车使用的功率元件由Si换成SiC制造的话，便可减少能源消耗量和CO2排放量。要达到实用阶段，需实现大口径、结晶缺陷较少的单晶晶圆。
钟罩式中频感应SiC晶体生长炉研制成功
半钟罩 SiC晶体
2008/10/7
2008年9月26日，中国科学院计划财务局组织专家验收组对中国科学院上海硅酸盐所承担的“‘半钟罩’式中频感应SiC晶体生长炉研制项目”进行了验收。项目验收组认为，该项目完成了合同书规定的任务，达到了各项验收指标，经费使用合理，一致通过验收。
为了提高科研装备的自主创新能力，促进原始性科技创新成果的产出，中国科学院每年安排专项经费用于支持科研装备项目。“‘半钟罩’式中频感应SiC晶体生长炉研...
三英寸SiC单晶研制成功
2008/1/8
近期山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用(epi-ready)”的水平，通过与国内相关单位密切合作，在自主研发的SiC衬底上生长出高质量的GaN/AlGaNHEMT外延材料，2DEG迁移率达到了1800cm2/Vs，器件的输出功率密度达到5.5W/mm的水平。这是国产的SiC半绝缘衬底第一...
山东大学大直径SiC单晶研究获突破
山东大学 晶体材料 SiC单晶
2007/5/21
光明日报2007年5月17日讯 近日，山东大学晶体材料国家重点实验室在大直径SiC单晶研究方面取得突破性进展，成功生长出直径3英寸的SiC单晶；2英寸半绝缘SiC单晶衬底达到“开盒即用（epi-ready）”的水平，与合作单位在SiC衬底上制备的微波GaN/AlGaNHEMT器件的输出功率密度达到5.5W/mm的水平，这是国产SiC半绝缘衬底第一次得到具有微波特性的器件，实现了从SiC单晶到外延生...