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微电子学院集成电路测试与容错设计方向研究领域包括宇航电子、汽车电子等安全关键领域，设计高可靠长寿命的芯片。近五年承担的科研任务包括国家自然科学基金重大科研仪器研制项目、国家自然科学基金重点项目、国家自然科学基金面上项目、安徽省重点研发项目。该学科方向的学术成果发表在高水平学术期刊IEEE 电脑交易、电路和系统的交易、IEEE 核科学期刊、大规模集成系统上的事务。
合肥工业大学微电子学院集成电路设计方向研究领域包括混合信号芯片设计、类脑计算及感存算电路、后摩尔器件电路设计、EDA算法等。近五年承担的科研项目包括科技部重点研究计划、国家自然科学基金（区域创新联合基金）、安徽省科技重大专项、安徽省科技攻关项目、合肥市揭榜挂帅项目，以及企业委托研发类项目。依托安徽省专用系统芯片集成技术工程研究中心和安徽省集成电路产业共性技术研究中心，组建了具备特色的集成电路设计研...
2023中国（深圳）集成电路峰会在深成功召开（图）
集成电路 深圳 半导体
2023/11/28
2023年9月21日上午，2023中国（深圳）集成电路峰会（以下简称峰会）在深圳宝安拉开帷幕。本届峰会由中国半导体行业协会指导，深圳市人民政府联合中国半导体行业协会集成电路设计分会、“核高基”国家科技重大专项总体专家组主办，深圳市科技创新委员会、深圳市发展和改革委员会、深圳市工业和信息化局、宝安区人民政府共同承办。中国科学院院士毛军发、俞书宏和中国工程院院士范滇元等知名专家学者出席并做发言，各级政...
爱德万测试来合肥工业大学微电子学院开展集成电路测试专题培训会（图）
爱德万测试 集成电路 专题培训
2023/10/14
为进一步深化校企合作，促进产教融合，助力集成电路行业人才培养，合肥工业大学携手爱德万测试，于9月20日~21日在翡翠科教楼A1814实验室举办了“集成电路测试专题培训班”。参训人员包括了来自合肥工业大学国家示范性微电子学院、安徽大学集成电路学院、合肥工业大学计算机学院的20多位同学和老师。
中国科学院半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展（图）
激子 量子器件 动力学模型
2024/2/28
2023年9月22日，新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作，利用施主-受主对（DAP）模型解释了二维MoSe2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子（IX）发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，很好地解释了层间激子寿命与发射能量的单调依赖关系。2023年9月18日，相关研究成果以“MoSe2/WSe2莫尔异质结中的层间施主-受主...
近日，2023年度集成电路设计领域顶级会议IEEE ESSCIRC在葡萄牙里斯本召开。南方科技大学深港微电子学院刘小龙课题组的论文“A 18.5-to-22.4GHz Class-F23 VCO Achieving 189.1dBc/Hz FoM Without 2nd/3rd-Harmonic Tuning in 65nm CMOS”入选了此会议。该论文的第一作者为深港微电子学院2022级硕士生...
复旦大学先进材料实验室微纳电子材料研究所
复旦大学 先进材料实验室 微纳电子材料 研究所
2023/9/20
半导体晶体管和集成电路的发明与磁性存贮材料的使用，更让人类进入了一个崭新的信息时代。从当前的国内外学术发展动态来看，新型电子材料的研究对象呈现其维度从高维向低维发展，电子关联程度从弱关联向强关联体系发展这两个显著特点。低维度上的微纳尺度体系成为相关电子材料研究的主流。
高塔半导体与旭创合作开发多代硅光收发器
高塔半导体 旭创 硅光收发器
2023/11/12
在CIOE2023期间，，高价值模拟半导体代工解决方案的领导者Tower Semiconductor(“高塔半导体”或“高塔”)(纳斯达克/特拉维夫证交所：TSEM)和数据中心光学的领导者旭创科技（“旭创”），宣布合作开发基于高塔硅光工艺平台(PH18)的多代高速光收发器。随着生产的进行，这一战略合作伙伴关系有望实现尖端的解决方案，以支持人工智能、数据中心和下一代电信网络日益增长的需求。根据市场调...
合肥工业大学微电子学院闫爱斌教授受国际测试会议亚洲分会组委会邀请，赴日本松江参加第七届国际测试会议亚洲分会会议IEEE ITC-Asia 23，并作题为《一种低开销双节点翻转自恢复锁存器》、《一种新型四节点镦粗硬度锁存器的设计》和《面向安全关键应用的高可靠低功耗双节点翻转恢复SRAM设计》的分组报告。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：绝缘层用组合物及在硅晶圆的硅通孔上制备绝缘层的方法
近日，2023年度广东省教育厅科研平台和项目及省教育科学规划课题（高等教育专项）拟立项名单公示，我院“高性能集成电路与系统重点实验室”获评广东省高校重点实验室。高性能集成电路与系统重点实验室（下称“实验室”）下设四个研究室，包括“第三代半导体电子功率器件工艺研究室”、“智能SoC芯片设计研究室”、“半导体传感器研究室”和“集成电路芯片应用研究室”，重点围绕第三代半导体与集成电路工艺、元器件、芯片设...
本发明涉及一种层状结构半导体材料光催化剂及其产氢应用。其特征在于：该半导体材料是由一种IIA族金属元素，一种IB族金属元素，一种VIB族或VIIB族或VIII族或IIB族或IIIA族金属元素，另外加一种或两种VIA族非金属元素共同组成。以该半导体材料为光催化剂，不担载或将少量过渡金属、贵金属原位光沉积担载于催化剂表面作为助催化剂进行可见光下的产氢反应。该半导体材料可与已知n型半导体复合构筑p-n异...
晶格对称性是电介质材料最重要的内秉性质之一，然而晶格对称性在电介质材料和异质结器件的广泛应用中却常常被忽略。近日，南京大学现代工程与应用科学学院袁洪涛教授团队与合作者们，寻找到一种各向异性的电介质材料并提出将晶格对称性匹配作为一种调控电介质/半导体异质结界面对称性破缺和界面物理性质的方法。通过堆叠具有不同旋转对称性的电介质和半导体材料，使得界面处的对称性与各材料系统的本征晶格对称性不同，在原本各向...
本发明提供了一种光合系统II和半导体杂化体系光催化分解水制氢气的方法，结合自然界光合系统II高效光催化分解水产氧气以及担载金属助催化剂的半导体材料光催化分解水产氢气的性质，实现了利用可见光全分解水产氢气和氧气。本发明的杂化体系中光合系统II与半导体材料之间的电子传递由铁络合物、钴络合物、2,6-二氯酚靛酚或者醌类化合物的还原和氧化循环过程来实现，在可见光条件下，1μmol光合系统II-半导体杂化体...
中国科学院深圳先进技术研究院专利：覆铜板的蚀刻设备及覆铜板的蚀刻系统