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赵维,男,1982年出生,四川省南充市人。清华大学电子工程系博士,高级工程师。2011年进入原广州有色金属研究院工作,2016年工作单位整合并入广东省科学院,现任省科学院下属广东省半导体产业技术研究院院长助理、科研部主管。兼任中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会副秘书长,广东省工业气体行业协会专家组成员。
刘宁炀博士,1984年出生于广西梧州,2003年-2012年在北京大学物理学院先后获得理学学士、博士学位,测试分析平台副主任,高级工程师,从事半导体照明及第三代半导体材料与器件研发工作。
燕英强,山东郓城人,硕士,高级工程师,资深半导体先进封装技术工程师,具备丰富的技术开发、项目管理和生产管理经验。2007毕业于广东工业大学,获得材料学硕士学位。
张康,高级工程师,1987年8月生,安徽东至人。2011年进入广东省工业技术研究院(原广州有色金属研究院)工作,2016年原工研院整体并入广东省科学院后,任职于广东省科学院半导体研究所材料外延平台开展技术研发工作。
敬守勇,男,1967年02月出生,研究生学历,深圳大学物理与光电工程学院副教授、副研究员,曾获“国防科工委科学技术进步三等奖”1项。1990年至2002年期间,先后在中国工程物理研究院、四川大学、韩国济州国立大学从事高温高密度离子体辐射诊断技术研究、固体(晶体)材料材料制备及性质研究、光学材料及大尺寸光学元件加工技术研究和用于ULSI的低介电常数材料研究等多项工作。2002年进入深圳大学后从事半导...
叶凡 ,女,副教授,硕士生导师(首批新锐研究生导师称号),深圳大学物理与光电工程学院物理系副主任,深圳市高层次人才,南山区领航人才,深圳市科技创新委员会评审专家。一直从事半导体材料与器件方面的研究工作,目前主要研究氧化亚铜同质结及异质结太阳能电池。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、深圳市科技计划项目共计5项,并作为主要成员参与863项目和省部产学研等多项科研项目。以第一作者或通讯作者在Jou...
刘学军,男,中共党员,高级实验师,1990年毕业于西安交通大学。
黄堂森,男,汉族,1980年9月生,湖南邵阳人,2007年7月参加工作,2010年11月加入中国共产党,桂林电子科技大学信号与信息处理专业毕业,工学硕士,副教授。
全知觉,南昌大学未来技术学院副研究员,南昌大学材料科学研究所所长,从事专业领域:半导体材料与器件、半导体物理。在研国家基金项目简介:氮化镓基发光二极管中 V 坑空穴注入的研究;项目号:11674147;直接经费66万;执行年限:2017.01-2020.12.;简介:该项目主要是采用理论与实验相结合的方法,研究了LED器件中V坑对载流子输运特性的影响,建立并完善了“V坑空穴注入”物理模型;提出了“...
高江东,南昌大学未来技术学院助理研究员,从事专业领域:硅基氮化镓发光半导体材料生长与器件物理。在研基金项目简介:铟镓氮发光二极管中载流子有效复合体积的研究。简介:由于铟镓氮发光二极管中存在较强的压电极化现象,使发光区中电子与空穴复合时需额外克服较大的极化电场,造成发光效率下降;本项课题目的在于通过铟镓氮发光二极管的发射光谱分析,获得二极管发光区中电子与空穴的浓度分布信息,进而估计电子与空穴的有效复...
方文卿,男,研究员,64年生,83年毕业于复旦大学激光物理专业,88年硕士毕业于中科院安徽光学精密机械研究所—光学/新型激光器方向。有过电真空、激光器、单片机、氮化物LED、半导体厂房设计/建造/厂务、眼科工程师、MOCVD在线监测仪器开发等方面的经历;自感动手能力强,思路开阔,属赣鄱英才555工程的入选者;代表性的工作有:硅衬底LED外延的最主要发明人之一,晶能光电的最主要创始人之一;MOCVD...
张建立,男,湖北黄梅人。2014年毕业于南昌大学材料物理与化学专业,获工学博士学位。现为南昌大学国家工程技术研究中心研究员,教育部发光材料与器件工程研究中心主任,南昌大学“双一流”学科建设发光新材料技术方向负责人。主要从事硅衬底GaN相关研究,包括MOCVD装备研制、硅上GaN材料生长、InGaN长波段LED制备、LED材料与器件分析、多基色LED封装、LED可见光通信、Micro-LED微显示技...
方芳,女,1982年生,辽宁海城人,博士,副教授,硕士生导师。2009年7月毕业于中国科学院长春精密机械与物理研究所获理学博士学位,同年荣获中科院优秀毕业生。先后在J. Mater. Chem.,Appl. Phys. Lett. Inorg. Chem.,Phys.Chem.Chem. Phys., J. Phys. Chem. C, Nanotechnology等国际著名学刊物上以第一作者身份...
黄惠珍,1977年出生,博士,副教授,硕导。1999年毕业于南昌大学材料系无机非金属材料专业,获学士学位;2001-2006年,南昌大学材料物理与化学专业硕博连读,获工学博士学位。2019年8月受国家留学基金委资助赴英国拉夫堡大学访学一年。2006年起在南昌大学工作。2014年受聘为南昌大学“赣江青年学者”。 指导的本科生参加挑战杯竞赛,获得2016年“创青春”全国大学生创业大赛创业计划竞赛铜奖和...
王光绪,山东昌乐人,博士,研究员,南昌大学“赣江特聘教授”,国家硅基LED工程技术研究中心副主任,南昌硅基半导体科技有限公司总裁,国家重点领域创新团队“半导体照明技术创新团队”核心成员。入选江西省首批“青年井冈学者”,江西省百千万人才工程,南昌市十佳创新团队“硅基LED照明科技创新团队”负责人,南昌市“直接联系人才”。完成的“硅基氮化镓绿光LED材料芯片关键技术及应用”项目荣获江西省科技进步一等奖...

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