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为了得到纳米线阵列太阳能电池的最优转换效率,通过仿真计算对GaAs轴向pin结纳米线阵列进行了结构优化.首先利用三维有限时域差分法分析了GaAs纳米线阵列的光吸收特性,并对其直径、密度等结构参量进行优化,优化后的GaAs纳米线阵列的光吸收率可达87.4%.在此基础上,利用Sentaurus软件包中的电学仿真模块分析了电池的电学性能,并根据光生载流子在纳米线中的分布,对轴向pin结结构进行优化,最终...
东四用GaAs/Ge单体电池     太阳电池  单体电池       2008/10/27
该项目以锗单晶代替砷化镓单晶作为外延用的衬底,采用先进的金属有机化学气相外延(MOVPE)技术生长砷化镓单晶薄膜,并采用其他相应的半导体工艺技术制备欧姆接触和光学减反射膜,制成锗衬底砷化镓太阳电池,即GaAs/Ge太阳电池。主要采用的技术有:锗单晶上砷化镓、镓铝砷、镓铟磷MOCVD异质外延技术,锗-砷化镓异质界面活性结消除技术,镓铟磷代替镓铝砷作为窗口层技术,实现外延层大面积均匀性技术,电极和减反...
InGaP/GaAs/Ge级联电池保留了其它电池的全部优点,具有转换效率高,功率/面积比大,耐辐照,重量轻,机械强度好等优点,是一种在太空中使用的比较理想的太阳电池。该项目研制的级联电池将吸收不同波段的光的单结电池通过底、顶电池间的隧道结串联起来,极大地提高太阳电池的光电转换效率,在耐高温、耐辐照、寿命等方面都有很大提高。目前,该级联电池的研究尚处于实验室研究阶段。该电池可以应用于航天及民用领域,...
该项研究首次提出了可用ZnSe/GaAS/Ge三种功能匹配材料的来制作高效太阳电池,并对极联多结太阳能转换功能材料的ZnSe p-n结的光谱响应曲线,制作了极联多结太阳电池的阶段性样品,为实用化提供了技术储备,并对进一步提高太阳电池效率这一世界性关注的问题,有重要的学术意义,实验结果对实际应用有指导意义,该研究居国际先进水平。
目前国内外制备GaAs单晶均采用条件非常苛刻的物理方法,该方法投资巨大,设备非常复杂,致使GaAs单晶无法大批量制备,而使该材料的成本很高,价格极其昂贵,这不仅制约了太阳能电池的发展,也制约真正的清洁能源的开发。该项目一改物理方法制备太阳能电池材料GaAs单晶的现状,采用先进的化学方法对太阳能电池材料GaAs单晶进行批量制备,这不仅可大大降低太阳能电池材料GaAs单晶的生产成本,而且对推动太阳能的...

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