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半导体深紫外光源的研究在印刷、水净化、医疗、环境保护、高密度的信息储存和保密通讯等领域都有重大应用价值。而以AlGaN合金为有源区的LED的发光波长能够覆盖210-400nm的紫外波段，是实现该波段深紫外LED器件产品的唯一理想材料。同时紫外LED具有其它紫外光源无法比拟的优势。
中国科学院上海硅酸盐研究所与半导体研究所通过联合攻关，在SiC-LED技术路线方面中涉及的核心技术，如SiC单晶衬底、外延、芯片和灯具封装等方面取得了突破性进展，研制出了多种结构的SiC-LED，并封装成了灯具，完全打通了SiC-LED技术路线，为SiC-LED技术在半导体照明产业领域的推广打下了基础。
“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”通过验收
氮化物 LED材料 半导体照明
2012/6/5
2012年5月30日，科技部高技术研究发展中心组织专家，对中国科学院半导体研究所承担的国家863计划新材料领域创新团队项目课题“高效氮化物LED材料及芯片关键技术”进行了验收。科技部高技术研究发展中心副主任王琦安等领导和专家参加此次验收会；验收专家组成员包括清华大学潘峰教授、北京国科世纪激光有限公司樊仲维研究员，中科院微电子所刘明研究员、北京大学沈波教授、中山大学王钢教授；半导体所副所长陈弘达等有...