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近日，中国科学院微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS...
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中国科学院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。
Properties of Coplanar Type MIS-SIM Structure Chip Capacitor
Coplanar type MIS-SIM structure low resistivity silicon
2011/1/10
Coplanar type MIS-SIM structure has been designed and fabricated on low resistivity silicon.
The two electrodes are deposited on the thermal oxide grown on silicon. This structure could be analysed b...