搜索结果: 1-11 共查到“电子科学与技术 M-Al”相关记录11条 . 查询时间(0.187 秒)
InP上Al膜的阳极氧化及其特性研究
半导体界面 阳极氧化 介质薄膜
2009/10/20
本文报道了半导体InP上Al膜阳极氧化的研究,并用AES,V-V,DLTS和椭圆仪等测试方法研究了氧化膜的稳定性、电学特性、组分的纵向分布以及Al2O3/InP的界面特性,研究结果表明,阳极氧化Al2O3的介电常数为11～12,Al2O3/InP界面存在一个能量上连续分布的电子陷阱,DLTS峰值对应的能级位置约在Ec-Ec=0.5eV,其俘获截面约为10-15cm2,Al2O3/InP的界面态密度...
多台阶靶是冲击波稳定性、平面性实验的重要实验用靶。本工作采用单点金刚石切削技术，优化工艺过程设计，完成了铝双边多台阶靶的制备。应用Veeco NT1100白光干涉仪对表面轮廓及粗糙度进行了测量。通过SPDT技术制备的具有微细双边结构的多台阶靶可满足实验要求。各台阶表面几何厚度误差小于1%，均方根粗糙度Rq小于50 nm，轮廓最大高度Tir仅在底部台阶处最大，约200 nm，其余台阶处均小于100 ...
等电子谱线法测量Mg/Al等离子体电子温度空间分布
电子温度空间分布 Mg/Al等离子体 X射线谱
2009/2/19
在“星光Ⅱ”激光装置上对Mg/Al混合材料埋点靶进行三倍频激光打靶实验，用空间分辨晶体谱仪测量靶材料发射的X光光谱，获取了示踪离子谱线实验数据。采用多组态Dirac-Fock方法计算所需原子参数，并在局域热动平衡条件下建立了双示踪离子谱线强度比随电子温度的变化关系。在此基础上由双示踪元素等电子谱线法确定了Mg/Al混合材料埋点靶激光等离子体电子温度空间分布。
报道了在20 TW皮秒激光器上完成的p偏振激光与等离子体相互作用过程中产生的快电子的角分布和能谱测量结果。实验得到：当激光功率密度小于1017 W/cm2时，电子发射没有明显定向性，在激光入射面内多峰发射;当激光功率密度大于1017 W/cm2,小于1018 W/cm2时，电子主要沿靶面法线方向发射；当激光功率密度达到相对论强度时，电子主要沿激光传播方向发射；激光功率密度未达到相对...
Al激光等离子体电子温度的时间分辨诊断
电子温度 时间分辨 Al激光等离子体 X射线光谱学
2008/4/12
将门控分幅相机与平面晶体谱仪耦合，构成时间分辨光谱测量系统，对Al激光等离子体的K壳层发射谱进行测量，获得了相对入射激光延迟约1ns，积累时间约200ps的光谱信号。利用稳态碰撞-辐射平衡（CRE）近似条件下的等离子体光谱辐射动力学模型，给出了Al激光等离子体Ly-β线与He-β线强度比以及Ly-γ线与He-γ线强度比与电子温度的函数关系。在此基础上，根据实验谱线强度比，得到激光强度为2.319×...
Al激光等离子体电子密度的空间分辨诊断
激光等离子体 翼部Stark展宽 电子密度 X射线光谱学
2008/4/12
采用20 μm的狭缝配平面晶体谱仪构成空间分辨光谱测量系统，对Al激光等离子体的K壳层发射谱进行测量。利用Al的Ly-α线谱的翼部Stark展宽效应推得电子密度空间分布轮廓，建立了翼部Stark展宽法测量高密度等离子体电子密度的诊断技术。
Al和C8H8的激光烧蚀深度测量
激光烧蚀 质量烧蚀速率 晶体谱仪 平面层靶
2008/4/12
叙述了采用时间积分的晶体谱仪探测不同发次衬底元素离子谱线强度的相对变化外推激光烧蚀深度的方法，获取了Al和C8H8的激光烧蚀深度，进而推出了Al和C8H8的质量烧蚀速率和烧蚀压。对实验结果进行了分析和讨论。
期刊信息
篇名
High resolution electron microscopy studies of martensite around Xs precipitates in a Cu-Al-Ni-Mn-Ti shape memory alloy
语种
英文
撰写或编译
撰写
作者
H.Y.Peng,Y.D.Yu and D.X.Li
第一作者单位
Institute of Metal R...
Optical Response Study of the Al/a-Sic:H Schottky Diode for Different Substrate Temperatures of the R.F. Sputtered a-Sic:H Thin Film
Schottky diode Optical sensor Heterojunction Diffusion length
2010/12/7
In the present work, Schottky diodes of Al/a-SiC:H included in the structure Al/a-SiC:H/c-Si(n)/Al were fabricated and their optical response was studied in the wavelength region from 350 nm up to 100...
Comparative Study of Statistical Distributions in Electromigration-Induced Failures of Al/Cu Thin-Film Interconnects
Statistical Distributions Electromigration-Induced Failures Al/Cu Thin-Film Interconnects
2010/12/15
In electromigration failure studies, it is in general assumed that electromigration-induced failures may be adequately modelled by a log-normal distribution. Further to this, it has been argued that a...
Evaporation of Adherent Al-Films on Single Crystalline LiNbO3 Substrates
Adherent Al-Films Single Crystalline LiNbO3 Substrates
2010/12/16
LiNbO3 is used as a single crystalline substrate material for the manufacturing of surface acoustic wave devices as frequency selective components. On the polished substrate wafer, Al with a film thic...