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磁控溅射制备纳米厚度连续金膜
磁控溅射 表面粗糙度 纳米Au膜
2010/7/6
研究了磁控溅射工艺参数对Au膜生长速率、表面粗糙度和微观结构的影响。结果表明：当溅射功率低于200W时，溅射功率对薄膜表面粗糙度、微观结构的影响不明显。标定了溅射功率为20W条件下的Au膜生长速率，观察了Au的生长过程，在Si基底沉积的Au为岛状（Volver-Weber）生长模式，Au膜厚度为8nm时，薄膜开始连续。晶粒尺寸与薄膜厚度的关系研究结果表明：在生长初期，晶粒尺寸随厚度线性增大；随后，...
氘代聚合物膜靶制备技术与性能研究
氘代聚苯乙烯 膜 玻璃化转变温度
2009/2/19
氘代聚合物膜是快点火基础物理实验的一种重要靶型。通过氘代苯乙烯单体的本体自由基聚合反应制备氘代聚苯乙烯，并利用流延法和浇铸法制备出厚度从几十nm到数百μm的膜靶。溶剂挥发过程中的随机扰动对膜厚均匀性造成影响，采用清洁的基片和在涂沫基片或模具外加防护罩可以降低这种影响。采用PVA作脱膜剂有利于获得较薄的聚合物薄膜。DSC分析表明薄膜的玻璃化转变温度与热处理过程有关，缓慢退火有利于提高Ｔ-g和储能...