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GaAs光电导辐射探测器响应实验研究
灵敏度 中子辐照 GaAs探测器
2009/3/4
实验研究了具有极快响应的SI-LECGaAs光电导辐射探测器的响应，测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532nm直流激光的灵敏度。实验结果表明：SI-LECGaAs光电导辐射探测器时间响应约为100ps，与探测器偏压无关，但受测试系统的影响较大;用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应;探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。
用于激光聚变实验中的GaAs光电探测器
激光聚变实验 光电探测器
2008/12/16
采用中子辐照过的ＧａＡｓ材料做成了ＧａＡｓ光电探测器，它具有良好的性能，时间响应快（约１００ｐｓ）、灵敏度高（约１０－１９Ｃ／ｋｅＶ）、体积小。已被用于激光聚变实验中Ｘ射线角分布测量。