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温度及功率变化研究电子辐射GaAs电池的热淬灭效应
光致发光 GaAs中间电池 热淬灭效应 非辐射复合中心
2021/1/11
为进一步探究电子辐射GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池GaAs中间电池的热淬灭效应，对该子电池进行了温度及功率变化光致发光谱测量，分析了发光峰强度及其峰位的变化。利用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合，得到辐射引入GaAs中间电池非辐射复合中心的热激活能（0.96 eV）。通过分析10~300 K温度范围内发光强度的热淬灭效应，发现发光强度与激发功率的关系从线性关系逐渐转变为...
150 keV质子辐照对GaAs子电池性能的影响
GaAs太阳能电池 辐照损伤 COMSOL 少数载流子寿命
2020/1/17
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失，导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能，其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象，制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池，以150 keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明，150 keV质子辐照后电池的量子效率衰减，且基区衰减...
GaAs光电导辐射探测器响应实验研究
灵敏度 中子辐照 GaAs探测器
2009/3/4
实验研究了具有极快响应的SI-LECGaAs光电导辐射探测器的响应，测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532nm直流激光的灵敏度。实验结果表明：SI-LECGaAs光电导辐射探测器时间响应约为100ps，与探测器偏压无关，但受测试系统的影响较大;用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应;探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。
用于激光聚变实验中的GaAs光电探测器
激光聚变实验 光电探测器
2008/12/16
采用中子辐照过的ＧａＡｓ材料做成了ＧａＡｓ光电探测器，它具有良好的性能，时间响应快（约１００ｐｓ）、灵敏度高（约１０－１９Ｃ／ｋｅＶ）、体积小。已被用于激光聚变实验中Ｘ射线角分布测量。