搜索结果: 1-10 共查到“仪器科学与技术 XPS”相关记录10条 . 查询时间(0.105 秒)
SiC抛光片表面氧化行为的XPS、SEM研究
XPS 氧化行为 SiC抛光片
2008/5/9
本文利用扫描电子显微镜和X光电子能谱研究SiC抛光片表面氧化行为，发现Si面比C面的氧化更显著，产生更多的氧化产物，提出利用扫描电子显微镜和X光电子能谱来鉴别SiC晶片的Si面和C面的新方法。
XPS表征类金刚石膜探讨
金刚石膜 XPS
2008/5/9
介绍X射线光电子能谱(XPS)分析类金刚石(DLC)膜的原理与方法，探讨分峰拟合计算时参量设定对分析结果的影响，改进拟合方法，拟合结果更准确，结果的一致性好。
XPS在测量薄膜样品中的应用——一种非破坏性XPS深度剖析测量
应用 薄膜样品 XPS
2008/5/9
通过改变XPS探测掠角,对硅表面的氧化层和富锗氧化硅表层薄膜样品进行非破坏性深度剖析测量,得到了有意义的结果。本文详细介绍了这一原理,并对这一分析方法的深度分辨等进行了讨论,为进行其它类型的薄膜XPS深度剖析测试提供了借鉴。
镀锡马口铁表面污染的XPS分析
XPS分析 镀锡马口铁表面污染
2008/5/7
本文利用XPS方法对受海水浸泡的镀锡马口铁进行了表面分析。结果表明,经海水浸泡及在海水蒸气下放置的镀锡马口铁表面都会受到不同程度的污染。同时也表明,XPS作为一种重要的表面分析技术将会在商品检验和产品检验中得到有效地应用。
聚合物PDMS片表面特性的AFM和XPS初步研究
XPS AFM 表面特性 聚合物PDMS片
2008/5/6
本文用原子力显微镜（AFM），研究常用固化模具材料玻璃、有机玻璃（PMMA）和塑料制作的PDMS盖片的表面特性。并用XPS分析PDMS表面的化学组成，表明在优化的PDMS芯片制作条件下， PDMS芯片的自粘粘合力取决于盖片的表面粗糙度。
利用XPS研究紫外光激发下GaAs晶片表面氧化反应
GaAs晶片 紫外光 XPS
2008/5/6
本文用XPS分析紫外光激发氧化反应后砷化镓表面的化学组成和氧化层厚度。发现， 紫外光激发下， GaAs表面生成氧化膜，同时清除表面污染碳。氧化膜中的镓砷比可以 与基体完全保持一致。用此方法获得具有一定的化学稳定性的，适合于器件制备的钝化层 。发现紫外光激发的砷化镓表面氧化反应的实质是光催化反应。用“紫外光/臭氧处理法” 处理的GaAs晶片，可使器件性能得到改善。