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采用分子束外延技术，在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后，二极管漏电流密度降低了三个数量级，零偏阻抗R0达到106 Ω，R0A达到103 Ω cm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分；电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4~5×1014cm-3....
InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的IV特性研究
InAs/GaSb 超晶格 红外二极管 表面漏电 阳极硫化
2016/8/23
采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb 衬底上生长了pin 结构的InAs（8ML）/GaSb（8ML）超晶格中波红外光电二极管。经过（NH4）2S 表面钝化后的IV 特性曲线表明：低的正偏压下，理想因子n 在 2 左右，势垒区的复合电流起主要作用；偏压超过0.14 V 时，n 在1 左右，少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的III 族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后，表面...