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为了提高GaN基蓝光LED的光提取效率,本文建立了LED顶面分别铺设ZnO纳米柱和纳米锥结构的两种模型,利用时域有限差分法对两种模型进行仿真并对结果进行了比较.仿真结果表明,ZnO纳米结构的各项几何结构参量(包括排列周期P、高度L、宽度W以及斜率k等),对LED顶端光提取效率影响显著.仿真分别得到了两种结构的最佳模型,通过比较,LED顶面纳米柱和纳米锥结构对光提取效率的提高效果相近,其最佳提取效率...
该课题发明了一种厚度为1纳米的特殊过渡层和一种特定的硅表面加工技术,克服了外延材料和衬底之间巨大的晶格失配和热失配,在第一代半导体硅材料上,制备出高质量的第三代半导体GaN材料,成功地解决了硅衬底上制备的GaN单晶膜材料龟裂这一世界难题。课题组发明了一种高可靠性LED外延材料结构,通过优化生长技术,制备了高质量的具有纳米量子阱结构的第三代半导体GaN基LED材料,攻克了硅衬底上GaN基LED可靠性...

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