搜索结果: 1-1 共查到“有机高分子材料 MOSFET”相关记录1条 . 查询时间(0.062 秒)
4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究
2007/12/18
摘要 在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响。该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取。