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4H-SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性研究
2007/12/18
摘要 在推导一个等效沟道厚度模型的基础上，对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究。首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导，计算结果表明，在N+D/N-A≤43的情况下，等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关，亚阈区峰值电势随栅压线性变化，推出了一个简化的亚阈电流表达式，并在计算中计入了界面态的影响。该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取。