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Superconductivity in transparent zinc-doped In2O3 films having low carrier density
transparent thin films carrier density electrical resistivity annealing effect superconductivity
2010/10/12
Thin polycrystalline zinc-doped indium oxide (In2O3–ZnO) films were prepared by
post-annealing amorphous films with various weight concentrations x of ZnO in the range
0 6 x 6 0.06. We have studied ...
柔性基片上In2O3：Sn和ZnO：Al薄膜的制备及其电学和光学特性
柔性基片 光学能隙 半导体薄膜 制备
2008/11/20
利用直流磁控反应溅射铟锡合金靶和锌合金钯, 在软基片上低温沉积了Ｉｎ２Ｏ３：Ｓｎ（ＩＴＯ）和ＺｎＯ：Ａｌ（ＺＡＯ）透明电薄膜. 结果表明, ＩＴＯ和ＺＡＯ薄膜均出现晶格畸变；柔性基片上低温沉积薄膜的电阻率对氧分压的依赖性远低于硅和玻璃衬底；尺度效应对薄膜电阻率有重要的影响.
In2O3：Sn（ITO）薄膜的光学特性研究
薄膜 红外反射率 ITO 光学特性
2008/11/13
对掺三氧化铟（Ｓｎ－ｄｏｐｅｄ Ｉｎ２Ｏ３简称ＩＴＯ）薄膜光学特性进行了研究. 结果表明, 该薄膜在可见光区具有高的透射率；低电阻率的ＩＴＯ薄膜在红外区的反射率随薄膜广场电阻的减小而增大, 表现在金属性质, ＩＴＯ薄膜的电磁本构特性参数光学折射率ｎ和消光系数Ｋ在４５０－８００ｎｍ区间的色散很弱, 基于对薄膜光学吸收及收系线性拟事表明, 薄膜在Ｋ＝０处价速写对导带的跃迁是禁戒跃迁.
纳米Fe-In2O3颗粒膜的结构与磁特性
纳米金属颗粒膜 晶体结构 磁性
2008/9/16
采用射频溅射法制备了纳米“铁磁金属-半导体基体”Fex(In2O3)1-x颗粒膜，并研究了其结构和磁特性.根据颗粒膜低场磁化率χ(T)温度关系和不同湿度下的磁滞回线,证实了在一定的温度范围内,颗粒膜中的纳米铁颗粒表现出磁性驰豫效应:当截止温度TB=50 K时,颗粒膜的磁性由超顺磁性转变为铁磁性.当温度降低到某一临界温度TP时,颗粒膜中结构变化导致磁化状态发生“铁磁态-类自旋玻璃态”转变,探讨分析了...