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中国科学院微电子研究所专利：一种ESD保护器件及适用于电池管理芯片的ESD电路
西二线5#压气站 ESD阀异常动作的分析及安全管理
压气站 ESD系统 Shafer阀 安全管理
2016/12/24
压气站ESD系统阀门是确保压气站场设备和人身安全的基本保障。为实现ESD系统的本质安全，通过分析西二线5#压气站ESD系统特点，找出ESD阀门异常动作的原因，有针对性地提出如下安全措施：定期对重要ESD回路进行测试并对阀门进行维护保养；严格现场动火作业管理；加强专业技术知识培训；对不同资产管理的主体责任进行明确和约束。建议考虑新建、改建、扩建站场设施与原站场在规划设计和投资建设方面的兼容性，从技术...
针对弹载控制器设计中数字I/O端口出现的ESD（electro static discharge）干扰导致端口失效的现象，分析了ESD干扰现象及其机理，结合常规的ESD防护方法，提出了一种基于磁珠和ESD保护器件的弹载控制器数字I/O端口的ESD保护设计方案，保证系统在ESD干扰下数字I/O端口的稳定可靠的工作。最后通过实际工程应用验证了该方案的有效性。
在传统的基于设计电路的ESD (Electro-Static Discharge)损伤仿真中,通常不考虑版图物理结构的影响,其仿真结果往往与实际损伤情况出现较大偏差,因此提出了一种考虑版图设计中寄生参数的集成电路ESD损伤的仿真方法.首先给出了仿真应用的具体分析流程.然后按照经验公式提取法明确了各种寄生参数的计算模型.最后,以集成运算放大器LM741为例,对其进行了ESD损伤模拟,再通过击打实验、...
ESD模拟器间接放电实验重复性研究
静电放电 间接放电 水平耦合板 ESD模拟器
2012/4/21
针对同一模拟器对同一试验对象实验的重复性差、不能给出一致结果的问题，按照新的国际电工委员会 （ＩＥＣ）标准，对符合国际标准的模拟器在水平耦合板上产生的电场和磁场的重复性进行了比较研究。实验研究 表明：在严格控制实验条件（接地电缆的长度、结构与布置；放电枪的放电位置；放电枪的放电电极与水平耦合板 的角度等）的情况下，模拟器的重复性可以得到保证；远场的重复性最好
New ESD standard and influence on test equipment requirements
New ESD standard test equipment requirements
2010/1/11
The IEC61000-4 series of standards form a basic framework for the immunity and emissions testing of electrical and electronic equipment. They are the basis for EN standards used to test CE compliance ...
0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
静电放电 保护电路 反馈
2009/10/21
为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路．该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件，同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度，使得保护电路能够及时关闭，避免箝位器件栅极电流保持过长时间，保护了箝位器件的栅极．此外，该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件，节省了电路的成本．
CMOS工艺中栅耦合ESD保护电路
静电放电损伤 电容耦合 保护电路
2009/5/27
为了克服大尺寸静电放电损伤防护元件存在的不均匀导通情况，提出了一种改进的静电放电损伤保护电路方案．该方案利用栅漏交叠区的结扩散电容作为耦合元件，电容耦合作用使大尺寸元件在静电放电损伤事件发生时能够均匀导通，从而有效提高静电放电损伤保护电路的抗静电能力．
安森美半导体以超低电容技术扩充ESD保护产品系列（图）
半导体 超低电容 技术 产品
2011/11/3
球领先的电源管理和电路保护半导体解决方案供应商安森美半导体扩充高性能片外静电放电(ESD)保护产品系列，推出两款业界一流的器件——ESD7L5.0D和NUP4212。这些新产品以安森美半导体专有的集成ESD保护平台设计，提高了钳位电压性能，同时保持低电容和小裸片尺寸。
微电子所“片上抗静电(ESD)保护电路硬IP模块”课题
ESD保护电路 模块 课题
2011/11/4
3月21日,北京市科委委托北京生产力促进中心组织专家对中国科学院微电子研究所和赛拓克半导体技术（北京）有限公司共同承担的北京市科技计划项目《基于SMIC12英寸生产线的IC设计支撑技术》中“片上抗静电(ESD)保护电路硬IP模块”课题进行了验收。
A Comparison Between GaAs Mesfet and Si NMOS ESD Behaviour
GaAs Mesfet Si NMOS ESD Behaviour
2010/12/21
Work is in hand at Loughborough University to investigate and compare the ESD sensitivity of GaAs D-MESFETs and unprotected enhancement mode NMOS structures.The work to date has shown that GaAs MESFET...