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近日，南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展，相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
2016/12/29
分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT...
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
泄漏电流 阈值电压 接触电阻
2009/5/27
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
2009/5/25
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．
Effect of annealing temperature on the morphology of ohmic contact Ti/Al/Ni/Au to n-AlGaN/GaN heterostructures
ohmic contacts heterostructure AlGaN/GaN heterostructure
2011/5/10
Ohmic contacts to AlGaN/GaN heterostructures which have low contact resistance and good surface morphology are required for the development of high temperature, high power and high frequency electron...
AlGaN/GaN HEMTs表面钝化抑制电流崩塌的机理研究
高电子迁移率晶体管 钝化 电流崩塌
2009/2/1
通过实验测量对AlGaN/GaN HEMT表面钝化抑制电流崩塌的机理进行了深入研究．AlGaN/GaN HEMT Si3N4钝化层使用PECVD获得．文章综合考虑了钝化前后器件输出特性及泄漏电流的变化，钝化后直流电流崩塌明显减少，仍然存在小的崩塌是由于GaN缓冲层中的陷阱对电子的捕获．传输线模型测量表明，钝化后电流的增加是由于钝化消除了表面态密度进而增加了沟道载流子密度．
AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究
高电子迁移率晶体管 泄漏电流 阈值电压
2009/2/1
通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT在200~600℃退火1min和5min的多批实验，研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直 流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析，确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火 温度为500℃，退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8. 9%，肖特基栅反向漏电流减小2个数量级，阈值...
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
AlGaN/GaN 肖特基 二极管 氢气传感器
2008/10/27
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应. 研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2 (N2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
AlGaN/GaN背对背肖特基二极管氢气传感器
GaN 气体传感器 肖特基二极管 GaN gas sensor Schottky diode
2008/3/16
通过溅射的方法制作了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应. 研究了Pt/AlGaN/GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10%H2 (N2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；并比较了两种温度条件下器件对于氢气响应的快慢；空气中的氧气对于器件电流的恢复有重要的作用；最后由热电子发射公式计算了器件在通入10%的氢气前后有效势垒高度的变化.
Capacitance-voltage and Auger chemical profile studies on AlGaN/GaN structures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers
gallium nitride HEMT
2011/5/4
AlGaN/GaN heterostructures passivated by SiO2/Si3N4 and SiNx/Si3N4 bilayers were characterized electrically by capacitance-voltage measurements and chemically by Auger microscopy chemical in-depth pro...
GaN-on-Si is thought to be an approach for low cost RF power electronics [1]. However, the
performance of the GaN-HFET devices is influenced by the Si-substrate properties, the buffer
layer interfac...
GaN-on-Si is thought to be an approach for low cost RF power electronics [1]. However, the
performance of the GaN-HFET devices is influenced by the Si-substrate properties, the buffer
layer interfac...
GaN Metal-insulator-semiconductor Field Effect Transistor Based on GaN/AlGaN/GaN Double Heterojunctions
GaN Metal-insulator-semiconductor Field EffectTransistorBased GaN/AlGaN/GaN Heterojunctions
2010/7/15
III-N is the most promising material for high-temperature, high-power electronic devices.
There have been many researches on GaN-based metal semiconductor FET (MESFETs). For many
applications, metal...