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SiO-Au法制备硅纳米线
SiO-Au法 硅纳米线(SiNWs) 制备
2009/12/3
在低真空的CVD系统中直接热蒸发SiO粉末并以金为催化剂在硅衬底上制备出大量长达几十微米的硅纳米线(SiNWs), 通过X 射线衍射谱(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射仪(SAED)和Raman光谱等技术对硅纳米线进行形貌及结构分析. 实验结果表明, 在不同生长温度下制备得到的硅纳米线质量不同, 其中在700 ℃温区生长的硅线质量最好; 与晶体硅...
SiO的电化学性能及其电极过程动力学研究
SiO 交流阻抗 锂离子电池 电极动力学
2008/3/20
本文采用恒流充放电考察SiO的电化学性能，并在0.5 MHz至0.001 Hz的频率范围内，通过交流阻抗技术研究SiO电极在首次嵌锂反应中的电极过程。对不同电压区间下测得的交流阻抗图谱，提出不同的等效电路模型并对结果进行了拟合。通过拟合结果，探讨了SiO电极过程动力学以及嵌锂过程中电极界面的变化特性。
添加剂对SiO电性能的影响及其机理分析（Electrochemical Performances of SiO: Effects of Additive and Mechanism）
SiO 负极 锂离子电池 电化学性能
2010/8/18
SiOx/CoO and SiO/Li2CO3 composite materials were prepared by mechanical ball-milling. The structures of the obtained materials were characterized by X-ray diffraction (XRD). And scanning electron micr...