搜索结果: 151-165 共查到“半导体技术”相关记录180条 . 查询时间(2.506 秒)
上海有机所n型有机半导体材料研究取得重要进展（图）
上海有机所 n型 有机半导体材料
2010/4/2
近年来，有机薄膜场效应晶体管（OTFT）因其在轻薄、可弯折、个性时尚的有机电子产品方面有广阔的应用前景，成为有机电子学中的研究热点。p型和n型有机半导体材料对于OTFT的发展同等重要，因为由p型和n型OTFT共同构筑的有机互补电路具有功耗低、操作速度快、噪音容限大等优点，可广泛用于各种有机数字电路，是实现有机电子器件应用的基础。然而，目前n型有机半导体材料的发展远远落后于p型有机半导体材料，具有高...
半导体照明：基础研究不能“慢半拍”
半导体照明 基础研究
2010/2/25
“由于巨大的应用需求，半导体照明发展出现了市场领先技术发展，技术研究领先于基础研究的特点。”在近日召开的相关主题的香山科学会议上，南京大学物理系教授张荣等专家指出，我国半导体照明基础研究虽然在过去10年中得到一定支持，但也存在缺位。前期积累的基础研究成果，已不能适应半导体照明技术发展的快速需求。因此，加快半导体照明若干重大基础科学问题研究，解决产业发展的技术瓶颈，已经迫在眉睫。
为加快我国半导体照明自主创新能力，凝聚有效资源，促进半导体照明产业发展，“国家半导体照明工程研发及产业联盟指导委员会”暨“《半导体照明》杂志及中国半导体照明网指导委员会”于 1月19日在京成立。半导体照明联盟成立“联盟指导委员会”体现了高端“智囊团”的作用，他将进一步加强半导体照明产学研结合的形式，将产业力量聚集团结在一起，助力产业的可持续发展，对领导半导体照明新技术、新产业的发展有着重要作用。
第十一届全国MOCVD学术会议在苏州召开（图）
第十一届 MOCVD 学术会议
2010/1/25
2010年1月13日至14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
2010年1月18日，由中科院等离子体研究所承担的ITER FEEDER超导馈线系统电流引线项目——ITER高温超导68千安大电流引线成功进行了稳态与快变循环脉冲运行测试。本次实验是在引入流量、压力、精确测量反馈、温度的自动控制策略，模拟未来ITER高温超导电流引线实际运行情况下进行的。实验结果获得了ITER国际组的认可。ITER 电流引线专家顾问组YiFeng Yang教授全程指导了这次实验并对...
中国科学院半导体所荣获2009年国家自然科学二等奖
2009年 国家自然科学 二等奖 中国科学院
2010/1/12
2009年度国家科学技术奖励共授奖374项(人)。其中，国家最高科学技术奖获得者2人；国家自然科学奖授奖项目28项，其中一等奖1项、二等奖27项；国家技术发明奖授奖项目55项，其中一等奖2项、二等奖53项；国家科学技术进步奖授奖项目282项，其中特等奖3项、一等奖17项、二等奖262项；授予7名外籍科学家中华人民共和国国际科学技术合作奖。
中科院半导体所在一维量子波导中的Rashba电子输运研究有新进展
中科院半导体所 一维量子波导 Rashba电子输运
2009/10/29
在半导体中实现自旋极化电流是近年固体物理研究中的热点问题。近日，美国《科学》（Science）网站“EurekAlert中文版”报导了中科院院士、中科院半导体研究所研究员夏建白领导的课题组在《中国科学G辑：物理学 力学 天文学》2009年第9期上发表的研究成果。刘端阳、夏建白、张亚中等人在文中提出了一维Rashba电子输运的一般性理论和折线型自旋过滤器件的设想，并且得到了一系列可用于操控自旋和...
砷化镓霍尔器件产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 产业化
2009/10/23
由中国科学院主持的“砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目，近日在北京通过国家发改委验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用的是中科院半导体所自主知识产权技术，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规模。
大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心落户天津工大
大功率半导体照明应用系统 教育部工程研究中心 天津
2009/10/9
2009年9月15日，中国科学院院士、清华大学薛其坤教授，北京大学张国义教授，天津大学马剑教授，中科院半导体所陈弘达研究员，清华大学罗毅教授，上海技术物理所陈效双研究员，中科院物理所陈弘研究员，天津市汽车灯厂黄春维高工等专家齐聚天津工业大学，认真听取了工程研究中心主任牛萍娟对工程研究中心建设可行性的研究汇报，进行了质询和现场考察，对天津工大“大功率半导体照明应用系统教育部工程研究中心”建设项目给予...
砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程通过验收
砷化镓霍尔器件 验收
2009/9/22
为了发展高技术产业化，促进产业结构调整，由中国科学院主持的 “砷化镓霍尔器件高技术产业化示范工程”项目于2009年9月3日在北京通过国家发展和改革委员会验收。示范工程由北京华源科半光电子科技有限责任公司和浙江博杰电子有限公司共同承担，项目采用中科院半导体所自主知识产权的技术，以新方法、新工艺，提高了器件的抗静电击穿能力、线性度和成品率，大幅度降低了生产成本，将形成年产1亿只砷化镓霍尔器件批量生产规...
我国大尺寸功率半导体打破国外核心技术垄断
大尺寸功率半导体 技术垄断
2009/9/11
2009年9月8日，历经22个月建设的中国南车时代电气股份有限公司大尺寸功率半导体研发及产业化基地正式投产。这标志着我国在轨道交通、电力、化工、冶炼等领域，打破了国外核心技术和产品的垄断。
微电子研究所研制出数款射频、模拟关键集成电路
射频 模拟 集成电路
2009/7/14
近日，中国科学院微电子研究所电子系统总体技术实验室（六室）自主研制成功国内首款S/U双波段CMMB射频前端芯片、国内首款集成高精度ADC的高精度CMOS温度传感器芯片以及数款中高速模数转换器（ADC）芯片等射频、模拟关键集成电路，这些电路在多媒体、通信、工业控制等领域具有广阔的应用前景。
深圳大学光电工程学院硕士生导师冯玉春副研究员（图）
深圳大学光电工程学院 硕士生导师 研究员 半导体材料 半导体器件
2009/6/26
深圳大学光电工程学院硕士生导师冯玉春副研究员，长期从事半导体材料与器件的研制与开发工作。先后主持国家“八·五”科技攻关项目“MCT研究”，研制出10A、1000V、关断时间达1.5微秒的MCT样品，并通过国家“八·五”鉴定验收；参加了国家“八·五”攻关项目“IGBT研究”，研制出了35A/1200VIGBT单管和50A～200A，600V～1200V二单元IGBT摸块，并通过国家“八·五”攻关鉴定...
上海技术物理研究所首创大功率半导体照明器件升级筛选技术条件
上海技物所 首创 大功率半导体照明器件
2009/6/26
近日，中科院上海技物所科研人员首次编制了适合我国载人运输飞船的“大功率半导体照明器件升级筛选技术条件”，并成功筛选了符合航天元器件EEE保证大纲要求和适应舱外环境应用要求的大功率半导体照明器件，已在神舟七号载人运输飞船出舱活动任务中得到成功验证，为目前尚无高质量等级的大功率LED器件在航天领域的应用探索了可行的技术途径。在上海市科委的支持下，“航天照明用大功率LED筛选规范”项目也已于去年启动，并...
硅基单片集成可重构光学上下路分插复用器获重要进展（图）
硅基单片集成 光学
2009/6/9
中国科学院半导体研究所光电系统实验室于2009年初在国际上首次实现了基于硅纳米线的单片集成4路可重构光学上下路分插复用器件。该器件结构紧凑，有效面积为1000×500m2，可以实现4路DWDM波长信号的动态路由配制，路由重构时间为亚毫秒量级，器件性能达到国际水平，部分指标领先。相关研究成果在国际著名光学期刊Optics Express上发表[Optics Express 17 (2009) 550...