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杭州电子科技大学微电子研究院科研成果专利(2020年-2023年)
杭州电科大 微电子研院 科研成果 专利
2024/2/4
塔河炼化投用红外热成像仪提高巡检效率(图)
塔河炼化 红外热成像仪 中国石化
2024/2/2
面对冬季低温挑战,塔河炼化炼油一部硫黄回收装置投用红外热成像仪,提高巡检效率。该装置伴热集合站有40多个,以前使用测温枪,巡检一遍需要50多分钟,采用红外热成像仪后,测温方式升级为“目测式一伴热集合站一检测”,节约一半时间。
中国科学院合肥物质科学研究院科学岛团队在共振隧穿及超高精度测量研究方面取得重要进展(图)
测量 能源材料 器件
2024/5/17
2024年2月1日,中国科学院合肥物质院固体所能源材料与器件制造研究部杨勇研究员在微观粒子的双势垒共振隧穿及基于此开展超高精度测量研究方面取得重要进展。相关研究成果发表在美国物理学会期刊 Physical Review Research 上。
IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分...
SiC MOSFET高温栅氧可靠性研究
SiC MOSFET 可靠性 栅氧 高温栅偏
2024/3/5
碳化硅SiC(silicon carbide)具有优良的电学和热学特性,是一种前景广阔的宽禁带半导体材料。SiC材料制成的功率MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)非常适合应用于大功率领域,而高温栅氧可靠性是大功率MOSFET最需要关注的特性之一。通过正压高温栅偏试验和负压高温栅偏试验对比了自研SiC MOSFET和国外同...
中国科学院大连化学物理研究所专利:一种微流控芯片及其应用
中国科学院大连化学物理研究所 专利 微流控芯片
2024/1/25
武昌工学院信息工程学院邹静副教授(图)
武昌工学院信息工程学院 邹静 副教授 单片机技术 集成电路
2024/4/24
中国科学院宁波材料所等在sp2碳共轭有机框架材料构筑方面获进展(图)
有机框架材料 半导体材料
2024/1/26
二维共价有机框架(2D COFs)聚合物作为新一代有机半导体材料,具有可调的光电性质、开放的纳米孔道和丰富的活性位点,在光电催化、能源转换和有机电子等领域展现出应用前景。特别是碳碳双键连接的共价有机框架聚合物(sp2c-COFs)凭借拓展的π共轭、优异的稳定性和高载流子迁移率等特性,成为COFs领域研究前沿方向。然而,有限的成键化学、较高的反应势垒和较差的可逆性,导致sp2c-COFs合成困难并限...