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碳化硅的多型性
2007/12/12
本文利用鉴定碳化硅多型体的“点间关系法”分析了一千一百多个碳化硅单晶体的劳埃照片。发现了61种碳化硅新多型体,其中六方晶胞c轴点阵常数最大的多型体1041R的点阵常数达2622.8?。至此碳化硅多型体的数目达110种,其中六方多型体30种,三方多型体80种。利用实验资料对现有的三种碳化硅多型体形成机理作了讨论,即1.螺型位错理论;2.生长环境因素理论和3.热力学理论。
为了研究大块非晶合金中成分分离区的存在状态及其在晶化过程中的作用，应用小角X射线散射技术(SAXS)和差示扫描量热仪(DSC)研究Cu55Zr30Ti15非晶合金从310 K到783 K之间微结构的演化情况。实验发现在淬火状态下Cu55Zr30Ti15非晶合金中存在直径为55 nm左右的成分分离区。非晶的结构弛豫包括659 K之前的低温结构弛豫和659 K到玻璃转变温度的高温结构弛豫。在玻璃转变温...
Electronic Structure of Surfaces in GeSe Layered Semiconductor
Green´ s function methods Defects Single crystal surfaces Surface defects
2010/4/9
Green´s function method in bases sets of Linear Combinations of Atomic Orbitals (LCAO) is used to calculate the electronic structure of the (010) surface of GeSe semiconductor. The energy states...