搜索结果: 31-45 共查到“物理学”相关记录3298条 . 查询时间(2.293 秒)
一种基于全氟烷基磺酸根阴离子的磺酸功能化离子液体及其制备方法，该类离子液体的结构式用下式表示：其中，m代表3或4，n代表1-9的整数，R为-CH3，-CH2CH3或-(CH2)3CH3。其制备方法为：采用含氮杂环化合物与氯乙醇反应生成的物质或者氯化胆碱作前体；然后将前体与全氟烷基磺酸盐发生置换反应，将Cl-置换为CF3(CF2)nSO3-获得中间体；采用磺内酯与前述中间体阳离子上-OH进行开环反应...
本发明为一种表面放电电离源-无离子门离子迁移管，其特征在于利用表面放电电离产生薄离子片来替代传统离子门，利用脉冲电场将离子引入漂移区，仪器装配简单，易于批量化和微型化。由沿轴线分布的脉冲推斥电极、表面放电离子源、漂移区、栅网、离子接收极等构成；待测物被离子源电离产生的产物离子分别被脉冲推斥电极引入漂移区，在高压电源提供的电场中飞行，最终被离子接收极接收检测。
一种用于电子加速的静电透镜装置，该装置包括带栅网电极片、排斥电极片、加速电极片和接地电极片。该装置可用于光电子成像系统中脱附过程中电子的加速，该结构电路设计简单，稳定性好，对光电子成像电子的加速以及成像的能量分辨起到重要的作用。
中国科学院大连化学物理研究所专利：一种双电离的离子源
中国科学院大连化学物理研究所 专利 双电离 离子源
2024/1/18
一种双电离的离子源，该离子源由电子轰击电离（EI源）和真空紫外灯电离（PI源）两种电离方式组成，其结构包括进样管，推斥极、电离室、灯丝、紫外灯、引出极、聚焦极、出射极、推斥板和接地栅板。本发明拓宽了单一离子源分析多形态样品时的适用性，同时提高了碎片离子的质量选择，可有效的分析离子组成和样品结构。
本发明公开了一种可同时检测正、负离子的组合式平板差分式离子迁移谱，包括正、负离子分离区，正离子漂移区和检测区，负离子漂移区和检测区；正、负离子分离区由两组或两组以上平行的电极对（或平行栅网）组成，平行的电极对（或平行栅网）间施加一定的电压差，在电场作用下实现正负离子的空间分离；正、负离子分别进入正离子漂移区和检测区、负离子漂移区和检测区进行分析检测。这样可以有效避免正、负离子由于相互吸引而导致的正...
美国科研人员首次在三维晶体中捕获电子
三维晶体 捕获电子 美国麻省理工学院
2024/1/17
美国麻省理工学院的科研人员首次在三维晶体中捕获了电子，实现了电子“平带”状态。这种特定的三维晶体结构允许电子在相同能态中移动，而不是在原子之间跳跃。通过改变晶体中原子种类，可操纵这些“平带”使其进入超导状态。该研究成果发表在《Nature》上。
捷克与美国合作开展μ子研究
捷克 美国 μ子
2024/1/17
捷克超强激光光束线中心（ELI Beamlines）将与美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）等合作开展ICMuS2计划，研究用于科学和安全用途的μ子源。
俄罗斯西伯利亚环形光子源将于2025年投入使用
俄罗斯 西伯利亚环形光子源 2025年
2024/1/17
据塔斯社消息，俄罗斯总统普京表示，西伯利亚环形光子源（SKIF）共享中心的设备将于12月底准备就绪，并计划于2025年投入运行。
英国高校联合开发下一代引力波探测器
英国 引力波 探测器
2024/1/16
由英国格拉斯哥大学牵头的七所英国大学联盟将开发下一代引力波探测器。该项目获得了英国研究与创新基础设施基金700万英镑的支持。
美国高温超导体研究取得新进展
美国 高温 超导体
2024/1/16
美国哈佛大学高温超导体研究取得重要进展，科研人员开发了一种新策略来创造和操纵高温超导体，特别是铜酸盐超导体，为设计新型超导材料提供了新方向。相关研究成果发表在《科学》杂志上。
国外研究发现铜酸盐“量子临界点”
铜酸盐 量子临界点 意大利
2024/1/16
意大利米兰理工大学、罗马大学和瑞典哥德堡查尔姆斯理工大学的科研人员在《自然通讯》上发表的研究成果显示，铜酸盐在高于临界温度时，其电阻随温度的变化与普通金属不同，表现出“奇怪”的特性。同时，存在与铜酸盐相关的“量子临界点”，即载流子密度最小时的精确值，此时材料仅由于量子效应而性质突然变化。如冰在零摄氏度下由于温度影响而融化成液体一样，铜酸盐由于电荷的量子涨落电阻值开始发生变化。
俄罗斯建立3D打印磁铁模型
俄罗斯 3D打印 磁铁模型
2024/1/16
俄罗斯乌拉尔联邦大学科研人员将钕、铁和硼的纳米晶体合金粉末通过3D打印技术制成任意形状的磁铁，在室温情况下比其他类型磁铁能储存更多“磁性”能量，具有高矫顽力，且不含钴。研究结果发表在《Journal of Magnetism and Magnetic Materials》杂志上。
本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K...