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窄禁带半导体红外量子器件和物理。
半导体量子器件的制备和自旋态研究。
太赫兹半导体器件THz光谱技术和光电特性表征。
功率型高效发光二极管是实现半导体照明的核心器件。该领域的发展引起了全球企业和研究机构的重视。目前,发光效率与可靠性问题是制约功率型LED发展与应用的主要技术瓶颈。本研究围绕如何实现高效高可靠性功率型LED展开,探讨制约发光效率的关键因素和物理机制,深入研究器件结构和关键工艺技术,实现高效高可靠性大功率LED,解决半导体照明领域核心器件问题。
基于锑化物和高速硅基光互连,开展红外激光器、红外焦平面芯片和高速图像处理芯片的研究。研制全国产化锑化物超晶格红外焦平面芯片和锑化物双波段红外焦平面芯片,实现大功率、窄线宽锑化物红外激光器芯片;发展CMOS太赫兹探测器及面阵、面向图像大数据处理的人工智能处理器芯片,着眼与未来感存算一体化集成的前沿方向,开展高速硅光互连通信芯片研究。
高速CMOS图像传感器能将人眼无法分辨的高速过程记录下来,是观察和研究高速运动物体或瞬变现象变化过程及规律的最有效工具之一。常规的CMOS图像传感芯片实时性低、体积大、功耗高,高速低功耗CMOS图像传感芯片具备成像速度快、集成度高和功耗低的优势,可广泛应用于工业自动化、体育运动、科学观测以及航空航天等领域。
以二硫化钼为代表的二维半导体材料,因其极限的物理厚度、极佳的柔性/透明性,是解决当前晶体管微缩瓶颈及构筑速度更快、功耗更低、柔性透明等新型半导体芯片的一类新材料。近年来,国际上已在单层二硫化钼的晶圆制备及大面积器件构筑方面不断突破,在晶圆质量和器件性能方面逐渐逼近极限。例如,中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心纳米物理与器件实验室研究员张广宇课题组国际上最早发展了蓝宝石上高定向外延晶圆...
室温气敏材料能耗低、稳定性好、安全性高,并且有助于简化传感器的器件结构,具有很好的实际应用前景。开发具有优异室温传感性能的气敏材料成为近年来传感领域的研究热点。金属氧化物半导体材料来源广泛、环境友好、结构调控灵活,在室温气体传感性能方面取得一定的进展。本文介绍了金属氧化物气敏材料的发展历程及气体传感机理,详述了各种具有室温气敏性能的金属氧化物纳米结构,重点讨论构建金属氧化物室温传感性能的有效策略和...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心面研制了硅激光器阵列、硅基高速调制器阵列、硅基MUX、DEMUX、路由器和硅基锗探测器阵列,初步探索了基于CMOS技术的硅光芯片上的多功能器件集成技术,研制了硅基混合集成宽带高速光访存芯片;基于光子态电子态联合调控新原理新方案,发展了光子晶体半导体激光的全套具有自主知识产权的技术体系,应用光子晶体激光器开发的激光微推进器系统将于年底在微小卫星上完成搭...
中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心瞄准半导体材料与光电器件的产业制高点,承接多项国家重点研发计划,在第三代半导体固态紫外光源材料及器件、高功率半导体光电器件等方向实现关键技术突破。基于高质量氮化物材料研制出内量子效率超过70%的深紫外光源材料,波长<280nm的深紫外LED,输出光功率超过110mW,开发出具有国内领先水平的深紫外光源模组,推进我国在深紫外半导体光源这一“蓝海”产业做...
器件与工艺方向的研究专注于功率半导体技术,主要包括:功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、高压电路设计及相关功率可靠性研究等。
中国科学院半导体材料科学重点实验室主要研究内容:(1)低维半导体材料的生长及表征、光电特性预测、原理器件验证;(2)红外及THz量子级联材料与器件;(3)光子集成材料和器件;(4)宽禁带半导体材料与器件;(5)单晶衬底及特殊环境半导体材料。
Modern semiconductor manufacturing requires photolithographic printing of subillumination wavelength features in photoresist via electromagnetic energy scattered by complicated photomask designs. This...
用a 介质(n 型掺杂GaAs)和b 介质(TiO2)组成一含缺陷层的光子晶体。数值计算表明:此光子晶体在3.0~4.5 THz 范围内出现了5 个透射率为1 的缺陷模,这些缺陷模有如下特征:当n型掺杂GaAs 的掺杂浓度n由1017/cm3 增加到1019/cm3 时,缺陷模的中心、半峰全宽度和透射率均保持不变,但若n增至1020/cm3,则缺陷模的透射率开始下降。入射角增加,缺陷模的透射率保持...

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